| 发明名称 |
METHOD AND DEVICE FOR GROWING HIGH DISSOCIATION PRESSURE COMPOUND SINGLE CRYSTAL FOR SEMICONDUCTOR BY DOUBLEESEALED MELT PULLING METHOD |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS5580796(A) |
申请公布日期 |
1980.06.18 |
| 申请号 |
JP19780152624 |
申请日期 |
1978.12.12 |
| 申请人 |
MITSUBISHI METAL CORP |
发明人 |
SUGA FUKUHIKO;TOMIZAWA KENJI;UMEHARA MIZUHIRO;ASAKUSA KAZUTOSHI;KISHIMOTO MIKIO |
| 分类号 |
C30B27/02;C30B15/00;C30B29/40;H01L21/18;H01L21/208 |
主分类号 |
C30B27/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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