| 摘要 |
Bekannte lichtsteuerbare Thyristoren weisen eine den Steuerstrom verstärkende Struktur in Form eines in den Halbleiterkörper integrierten Hilfsthyristors auf, der durch Licht eingeschaltet wird. Der Laststrom des Hilfsthyristors schaltet den Hauptthyristor ein. Das du/dt-Verhalten verschlechtert sich dabei im allgemeinen mit wachsender Lichtempfindlichkeit. Hohe Lichtempfindlichkeit bei gutem du/dt-Verhalten läßt sich erzielen, wenn eine verstärkende Struktur eingesetzt wird, die aus einem Fototransistor (13, 14, 1) mit nachgeschaltetem Feldeffekttransistor (4, 5, 1) besteht. Fototransistor und FET lassen sich auf einfache Weise in den Halbleiterkörper integrieren.
|
