发明名称 |
DIELECTRICALLY ISOLATED HIGH VOLTAGE SEMICONDUCTOR DEVICES. |
摘要 |
<p>Structure permettant d'obtenir des dispositifs a haute tension espaces etroitement dans des circuits integres. Les dispositifs sont formes dans des baquets ("tubs") monocristallins (11) dans un substrat polycristallin. Pour empecher le potentiel du substrat de provoquer la rupture des dispositifs, on incorpore entre les baquets monocristallins et le substrat polycristallin une couche semi-isolante (13) qui possede des etats de piegeage capables de prendre la charge provenant de la region monocristalline. La protection assuree par la couche semi-isolante permet de faire les regions superficielles du dispositif plus pres du substrat polycristallin et les baquets moins profonds.</p> |
申请公布号 |
EP0025050(A1) |
申请公布日期 |
1981.03.18 |
申请号 |
EP19800900538 |
申请日期 |
1980.09.24 |
申请人 |
WESTERN ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED |
发明人 |
BERTHOLD, JOSEPH ERNEST;HARTMAN, ADRIAN RALPH;SHACKLE, PETER WILLIAM |
分类号 |
H01L29/74;H01L21/314;H01L21/76;H01L21/762;H01L27/06;H01L27/08;H01L29/739;H01L29/8605;(IPC1-7):01L27/04 |
主分类号 |
H01L29/74 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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