| 发明名称 | 复合基板 | ||
| 摘要 | 一种复合基板，具备热传导率为5W/m·K以上且体积电阻率为1×10<sup>8</sup>Ω·cm以上的无机绝缘性烧结体基板和单晶体半导体膜，或上述无机绝缘性烧结体基板、单晶体半导体膜以及介于它们之间的选自氧化物、氮化物、氮氧化物的至少一种的薄层。根据本发明，可以采用对可见光不透明、热传导性好、进而在高频区域的损耗小的廉价无机绝缘性烧结体，提供抑制了金属杂质污染的廉价复合基板。 | ||
| 申请公布号 | CN104040685B | 申请公布日期 | 2016.11.02 |
| 申请号 | CN201280063158.2 | 申请日期 | 2012.12.20 |
| 申请人 | 信越化学工业株式会社 | 发明人 | 小西繁;久保田芳宏;川合信 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 肖靖 |
| 主权项 | 一种复合基板，其特征在于，具备：由氮化硅、氮化铝或SIALON组成的热传导率为5W/m.K以上且体积电阻率为1×10<sup>8</sup>Ω.cm以上的无机绝缘性烧结体基板、单晶体硅膜、介于上述无机绝缘性烧结体基板和单晶体硅膜之间且覆盖上述无机绝缘性烧结体基板整体的由氮化硅组成的化学气相成长膜，由氮化硅组成的该化学气相成长膜是防止在使用了该复合基板的半导体器件制造过程中上述无机绝缘性烧结体基板中所含的AL以及/或者Fe的熔析或者扩散的薄膜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||