硼镓共掺单晶硅片及其制备方法和太阳能电池

摘要

本发明公开了一种硼镓共掺单晶硅片，在硼镓共掺单晶硅片中含有硼元素和镓元素，其中硼元素的浓度为10^14~16原子数/立方厘米，镓元素的浓度为10¹³~6×10¹⁶原子数/立方厘米，其降低了单独硼掺杂引起的硼氧复合体浓度，还公开了由上述硼镓共掺单晶硅片制成的硼镓共掺单晶硅太阳能电池，该电池具有与常规掺硼持平的转换效率，并且具有较低的LID水平，并进一步公开了上述硼镓共掺单晶硅片及电池的制备方法，该方法工艺简单，易操作，可规模化生产，不存在成本升高的问题。

主权项

一种硼镓共掺单晶硅片，其特征是：在硼镓共掺单晶硅片中含有硼元素和镓元素，其中硼元素的浓度为10¹⁴～10¹⁶个原子/立方厘米，镓元素的浓度为10¹³～6×10¹⁶个原子/立方厘米；所述硼镓共掺单晶硅片的制备方法，包括以下步骤：(1)将多晶硅料、硼硅合金以及镓金属或镓硅合金原料置于石英坩埚中；(2)将装有上述原料的石英坩埚置于直拉单晶炉中，抽真空处理；(3)对直拉单晶炉炉体加热使上述原料全部融化，混匀后，调节炉体内部温度，缓慢放入籽晶；(4)炉体内的籽晶经引晶、缩颈、放肩、等径生长、收尾阶段完成晶体生长过程，制成单晶晶棒；(5)将步骤(4)中制成的单晶晶棒经过后续处理加工成硼镓共掺单晶硅片，用于制作硼镓共掺单晶硅太阳能电池。