| 主权项 |
1﹒一种石印物品之制造方法,包含一操作,在比操 作中研进行制造之物品包含一物品表面及一盖覆 光化性处理层,该处理层实质上包含一硫属化合 物(Chalc─ogenide)玻璃及含银 材料,该含银材料系大量集中在该处理层之表面 附近至实质均匀深度,包括下列步骤:(1)将 该处理层之部份选择的曝露于光化性辐射中,以 便依一从该表面进 入在此曝露部份内之该处理 层体内之方向,诱导银移动,以便在一显像剂中 形成一被减低溶解度的材质的图案;(2)剥离,以便 移除未被辐射影响的含银材料 ;(8)利用该显像剂来处理该处理层,以便选择 的移除在未曝露部内之材料,以产生一形成有图 案的处理层,其特征乃在于,含银材料实质上包 含至少一化合物,此化合物包含化合银的反应产 物及至少一玻璃材料的成分,而该剥离包含形成 一水溶性银化合物之反应,此反应可视为包含将 卤化银转变成该水溶性银化合物。 2﹒依据请求专利部份第1项之方法,其特征乃在于 ,该含银材料系为玻璃状材料之该成分与一化合 物之反应产物,该化合物包含阴离子形式的银, 以为一络阴离子。 3﹒依据请求专利部份第2项之方法,其特征乃在于 ,该阴离子实质上包含氰化银。 4﹒依据请求专利部份第3项之方法,其特征乃在于 ,银系以KAg(CN)2引入。 5﹒依据请求专利部份第1项之方法,其特征乃在于 ,剥离包含可被视为藉由该卤素与硷金属氰化物 之反应而将卤化银转变成水溶性银化合物之反应 。 6﹒依据请求专利部份第1项之方法,其特征乃在于 ,剥离包含可被视为藉由该卤素与一卤素之反应 而将卤化银转变成水溶性银化物之反应。 7﹒依据请求专利部份第6项之方法,其特征乃在于 ,该卤化银实质上包含氯化银。 8﹒依据请求专利部份第1项之方法,其特征乃在于 ,该含银材料为非卤化物:且其中剥离包含可被 视为将该含银材料转变成卤化银之反应。 9﹒依据请求专利部份第8项之方法,其特征乃在于 ,剥离包含进行两不同化学步骤之反应,第一步 骤形成卤化银,第二步骤为将该卤化物转变成水 溶性银化合物。 10﹒依据请求专利部份第8项之方法,其特征乃在于 ,剥离包含单一步骤之反应,此反应可被视为产 生卤化银为一中间产物。 11﹒依据请求专利部份第10项之方法,其特征乃在 于,剥离反应包含在含银材料与一与卤素一起的 硷金属卤化物溶液间之反应。 12﹒依据请求专利部份第11项之方法,其特征乃在 于,哉金属卤化物包含卤化钾。 13﹒依据请求专利部份第12项之方法,其特征乃在 于,硷金属卤化物包含碘化钾,且该卤素包括碘 。 14﹒依据请求专利部份第1-11项中之任一项之方 法,其特征乃在于可将一牺牲层置于该光化性处 理层与该物品表面之间。 15﹒依据请求专利部份第14﹒项之方法,其特征乃 在于,处理该牺牲层以便藉由将,由依据请求专 利部份第1项之处理所形成之产物曝露于一剂中 ,而形成一复制图案,该剂选择地浸蚀在处理层 制图时曝露之该牺牲层之部份。 16﹒依据请 求专利部份第15﹒项之方法,其徵乃在于,该 牺牲层为聚合材料。 17﹒依据请求专利部份第16﹒项之方法,其特征乃 在于,该剂为一电浆制成的种类,系在四周氧中 放电而成者。 18﹒依据请求专利部份第17﹒项之方法,其特征乃 在于,在该牺牲层内之复制图案系藉反应的离子 蚀刻生成。 19﹒依据前述请求专利部份第1-18项中任一项的 方法,其特征乃在于该物品表面系藉与一制剂之 反应而在被制图处理层所裸露的区域内,被选择 的制图,以便形成该物品表而之显着图案之局配 改变。 20﹒依据前述请求专利部份第1-18项中任一项的 方法,其特征乃在于该硫属化合物(Chalc ogenide)玻璃包含至少一硫属元素选自 含selen─ium,Sulph,UT,及 telIurium的群属中。 21﹒依据请求专利部份第20﹒项之方法,其特征乃 在于该硫属元素之量,在一由该玻璃之其他组份 所组成之化学计算化合物中所显示的为过量的, 在该化合物中,该显像计算化合物中所显示约为 过量的,在该化合物中,该显像剂包括一特别对 于该Chalcogen元素有效的溶剂。 22﹒依据请求专利部份第21项之方法,其特征乃在 于该过量的Chalcogen元素为Sele nium。 23﹒依据请求专利部份第22﹒项之方法,其特征乃 在于该特定溶剂系选自包含至少一化合物硫及氢 硼化物的群属中。 |
