| 发明名称 |
METHOD OF PRODUCING HIGH INTEGRATED CIRCUIT C-MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR CIRCUIT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS5843563(A) |
申请公布日期 |
1983.03.14 |
| 申请号 |
JP19820146743 |
申请日期 |
1982.08.24 |
| 申请人 |
SIEMENS SCHUCKERTWERKE AG |
发明人 |
URURITSUHI SHIYUWAABE;ERUUIN YAKOPUSU |
| 分类号 |
H01L27/08;H01L21/265;H01L21/762;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L27/08 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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