发明名称 |
有机半导体二维分子晶体材料的制备方法与应用 |
摘要 |
本发明提供一种有机半导体二维分子晶体材料的制备方法与应用。制备包括:在水面滴注有机半导体化合物溶液,待溶剂挥发后,在水面上得到有机半导体二维分子晶体晶核;在水面上的所述有机半导体二维分子晶体晶核处继续滴注所述有机半导体化合物溶液,静置,在水面上得到所述有机半导体二维分子晶体材料。所述有机半导体二维分子晶体材料在制备场效应晶体管器件中的应用也属于发明的保护范围。本发明利用水面以及水面上预先形成的籽晶作为生长核心,经溶液自组装,在水面上生长出大面积的二维分子晶体结构,用这些二维分子晶体结构制备的场效应晶体管具有较高的载流子迁移率与较低的阈值电压。 |
申请公布号 |
CN106159092A |
申请公布日期 |
2016.11.23 |
申请号 |
CN201510172669.3 |
申请日期 |
2015.04.13 |
申请人 |
中国科学院化学研究所 |
发明人 |
胡文平;徐春晖;甄永刚;董焕丽;张小涛 |
分类号 |
H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;C07D495/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/30(2006.01)I |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 |
代理人 |
关畅;赵静 |
主权项 |
一种制备有机半导体二维分子晶体材料的方法,包括下述步骤:1)在水面滴注有机半导体化合物溶液,待所述有机半导体化合物溶液中的溶剂挥发后,在水面上得到有机半导体二维分子晶体晶核,用于诱导有机半导体二维分子晶体进一步生长;2)在水面上的所述有机半导体二维分子晶体晶核处继续滴注所述有机半导体化合物溶液,静置,在水面上得到所述有机半导体二维分子晶体材料。 |
地址 |
100080 北京市海淀区中关村北一街2号 |