发明名称 TEMPERATURE CONTROL METHOD AND PLASMA PROCESSING APPARATUS
摘要 본 발명은 플라즈마 처리 장치 내에서 배치대의 온도 제어성을 높이는 것을 목적으로 한다. 플라즈마 처리 장치 내에서 기판을 배치하는 배치대의 온도 제어 방법으로서, 상기 플라즈마 처리 장치 내에는 상기 배치대를 냉각하는 냉각 기구 및 상기 배치대를 가열하는 제1 가열 기구를 포함하는 온도 조정 기구가 마련되고, 상기 플라즈마 처리 장치 내에 인가되는 고주파 전력과 상기 배치대에의 입열량의 관계를 나타내는 제1 관계 정보를 측정에 의해 구하며, 미리 기록부에 기록된 데이터 테이블에 기초하여, 미리 정해진 프로세스로 인가되는 고주파 전력에 대한 제1 입열량을 산출하고, 상기 냉각 기구와 상기 제1 가열 기구의 설정 온도의 차분의 제어 허용 범위를 입열량에 따라 단계적으로 설정하며, 미리 상기 기록부에 기억한 오퍼레이션 맵에 기초하여, 상기 냉각 기구와 상기 제1 가열 기구의 설정 온도의 차분이 상기 제1 입열량에 따른 제어 허용 범위 내의 온도가 되도록 상기 제1 가열 기구 및 상기 냉각 기구 중 적어도 어느 하나의 온도를 제어하는, 배치대의 온도 제어 방법이 제공된다.
申请公布号 KR20160146534(A) 申请公布日期 2016.12.21
申请号 KR20160068241 申请日期 2016.06.01
申请人 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 发明人 도요다 게이고;츠지모토 히로시
分类号 H01L21/3065;H01L21/02;H01L21/324;H01L21/67 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人
主权项
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