| 主权项 |
1.一个用于感应装置C图1(10>内)以便机械驱动导电盘(14)之磁阻尼组件,该组件包含:一对各有其易磁化轴之永久磁件(26t27),该磁件各提供两条平行于该易磁化轴而以殉豆[图2,3(36,40))分隔之便易磁通路径,该磁件并列于一个供该转盘旋转之预定空间两侧并使其便易磁通路径垂直该转盘而互相对齐以便使其磁通依相反方向通过该转盘两次。一对以软磁材料制成之回磁元件[图1,2(29,"31);图3(29,51);图5(29,58);图7(29,65)),该元件之一与各该磁件相邻以便提供一个平行于该转盘而链接该二便易磁通路径的磁通路径(43,45);及至少改变该回磁元件之一与该磁件之相对位置以便改变在该磁件之该两条便易磁通路径问的磁通链接而改变阻尼的装置[图1一3,5(32);冈7(65))。2.依据请求专利部份第1.项所述之组件包含:至少一个跨过薄磁铁之一之死瓦而延伸于北磁极与南磁极之间的温度补偿磁通分路元件[图3,5(47或47))。3.依据请求专利部份第1.或2.项所述之组件,其中该对永久磁件包含二个以高能量高矫顽磁力材料制成之薄磁铁4.依据请求专利部份第1.,2.或3.项所述之组件,其中该对回磁元件包含二块平面板。5.依据请求专利部份第4.项所述之组件,其中该可动平面衷之尺寸小于相邻磁件之尺寸而该改变位置之装置包含一个螺丝(33)。6.依据请求专利部份第1.,2.或3.项所述之组件,其中该可动回磁元件包含一个螺丝。7.依据请求专利部份第1.,2.或3.项所述之组件,其中该软磁材料包含钢。8.依据请求专利部份第土或兀项所述之组件,若采用请求专利部份第3.项所述之方式时,其中该高能量高矫顽磁力材料包含ALNICO g。9.依据请求专利部份第3.或7.项所述之组件,若采用前述第3.项所述之方式时,其中该高能量高矫顽磁力材料包含ALNICO 9。10.依据请求专利部份第土或工项所述之组件,若采用前述第3.项所述之方式时,其中该高能量高矫顽磁力材料包包ALNICOI2。11.依据请求专利部份第土或工项所述之组件,若采用前述第3.项所述之方式时,其中该高能量高矫顽磁力材料包含CERAMIC8。12.依据请求专利部份第a或2项所述之组件,若采用前述第土项所述之方式时,其中该高能量高矫顽磁力材料包含稀土。13.一个大致如前述参考附图之说明所示的磁阻尼组件。 |
