发明名称 CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS
摘要 본 발명은 화학 기계적 연마 장치에 관한 것으로, 상면에 연마 패드가 입혀지고 자전하는 연마 정반과; 화학 기계적 연마 공정 중에 상기 웨이퍼의 판면에 접촉하여 가압하는 연마 헤드와; 상기 웨이퍼에 신호를 인가하여 상기 웨이퍼의 두께 정보를 얻는 두께 센서와; 상기 웨이퍼가 상기 멤브레인 바닥판에 위치하지 않은 상태에서 상기 두께 센서로부터의 제1출력신호를 수신한 후, 상기 웨이퍼가 상기 멤브레인 바닥판에 위치한 상태에서 화학 기계적 연마 공정 중에 상기 두께 센서로부터 제2출력신호를 수신하여, 상기 제2출력신호로부터 상기 제1출력신호를 차감한 신호로부터 상기 웨이퍼의 두께 분포를 얻는 제어부를; 포함하여 구성되어, 두께 센서의 오프셋 특성에 의하여 왜곡되지 않은 웨이퍼 연마층의 두께를 정확하게 얻을 수 있는 화학 기계적 연마 장치를 제공한다.
申请公布号 KR101684842(B1) 申请公布日期 2016.12.20
申请号 KR20150149350 申请日期 2015.10.27
申请人 주식회사 케이씨텍 发明人 김종천;임화혁;김민성;조문기
分类号 H01L21/304;H01L21/306;H01L21/66;H01L21/67 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人
主权项
地址