| 摘要 |
Es werden Hochspannungshalbleitervorrichtungen mit elektrostatischem Entladungs(ESD)-Schutz und Herstellungsverfahren bereitgestellt. Die Halbleitervorrichtungen umfassen eine Mehrzahl von Transistoren auf einem Substrat, das mit einem oder mehreren gemeinsamen Gates strukturiert ist, die sich entlang eines Bereichs des Substrats erstrecken, und eine Mehrzahl erster S/D-Kontakte und eine Mehrzahl zweiter S/D-Kontakte, die dem wenigstens einen gemeinsamen Gate zugeordnet sind. Die zweiten S/D-Kontakte sind über einer Mehrzahl von mit Ladungsträgern dotierten Bereichen innerhalb dem Substrat angeordnet. Wenigstens ein schwebender Knoten ist über dem Substrat und wenigstens teilweise zwischen zweiten S/D-Kontakten angeordnet, um ein Festlegen der Mehrzahl von mit Ladungsträgern dotierten Bereichen innerhalb dem Substrat zu unterstützen. Die mit Ladungsträgern dotierten Bereiche können z. B. durch eine Maske mit einer gemeinsamen Ladungsträgerbereichsöffnung festgelegt werden, wobei der wenigstens eine schwebende Knoten die gemeinsame Ladungsträgerbereichsöffnung schneidet und ein Festlegen der Mehrzahl von separaten mit Ladungsträgern dotierten Bereiche zusammen mit der gemeinsamen Öffnung unterstützt. |
