Photoresist compositions with enhanced sensitivity using polyamide esters.

摘要

Fotoresist-Formulierungen zur Ausbildung von Reliefstrukturen aus hochwärmebeständigen Polyimid-Polymeren, enthaltend in einem organischen Lösungsmittel im wesentlichen mindestens je a) ein fotopolymerisierbare Reste tragendes Polyamidester-Präpolymer b) eine strahlungsreaktive copolymerisierbare ungesättigte Verbindung c) einen Fotosensibilisator d) einen Fotoinitiator e) einen Leucofarbstoff, zeigen eine gesteigerte Lichtempfindlichkeit, wenn in ihnen als Fotoinitiator eine Verbindung vom Typ der N-Azidosulfonylarylmaleinimide und als Leucofarbstoff eine Verbindung von Typ der Triarylmethane enthalten ist.