| 发明名称 |
OXIDE THIN FILM AND METHOD OF FORMING THE OXIDE THIN FILM AND AN ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE OXIDE THIN FILM |
| 摘要 |
기판 위에 산화물 전구체 용액을 적용하는 단계 및 상기 산화물 전구체 용액을 열처리하여 비정질 또는 나노결정의 산화물 층을 형성하는 단계를 반복적으로 수행하는 산화물 박막의 형성 방법, 상기 방법으로 형성된 산화물 박막 및 이를 포함하는 전자 소자에 관한 것이다. |
| 申请公布号 |
KR101669953(B1) |
申请公布日期 |
2016.11.09 |
| 申请号 |
KR20100027347 |
申请日期 |
2010.03.26 |
| 申请人 |
삼성전자 주식회사 |
发明人 |
선종백;류명관;박경배;이상윤;구본원 |
| 分类号 |
H01L21/02;H01L29/12;H01L31/18 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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