| 主权项 |
1.金属化陶瓷基质之方法,包含以熔融金属化合物粘附促进基质表面;继以在经过粘附促进之表面上无电沈积厚度大于5微米之金属层;其改良包含:避免在无电沈积金属层生成浮泡,其方式系:将粘附促进改性剂混合以至少一种 金属化合物以提供 金组合物;粘附促进改性剂当存在于组合物内时可令 金属组合物改性,因而熔融组合物将陶瓷面粘附促进而提供微小平面之表面结构,比较单用熔融 金属化合物加以粘附促进之陶瓷面具有更大颗粒大小及更大失重;相同条件下,粘附促进改性剂之量足够将 金属组合物熔点降至145-240c者;使用呈熔融态之 金属组合物将陶瓷面粘附促进历1-200分钟时间;金属组合物于145-240C温度加热而使之呈熔融,令陶瓷面与熔融 金属组合物在145-240C之温度接触1-200分钟时间而使陶瓷面之粘附牲受促进者。2.根据上述请求专利部份第1项之方法,其中该粘附促进改性剂包含水。3.根据上述请求专利部份第1项之方法,复包括在陶瓷面粘附促进之后且在其上形成金属层之前,该表面暴于酸性卤化物溶液之步骤,该溶液含有一种或多种择自氯、溴及碘之卤化物而其量大于0.5莫耳卤化物/升,并足够促进触媒吸附于表面上且消除在粘附金属层内其表面上或其特选部份上形成之裸点者;该溶液或用于瞬即接于其后之预处理步骤,或构成用于催化序列而令表面对金属沈积具有接受性之该等溶液的一部份。4.根据上述请求专利部份第1项之方法,复包括在粘附促进陶瓷表面后与其上生成金属层之前,让表面暴露于择自己氧基化非离子化合物及含氮化合物之粘附促进剂;而该含氮化合物择自包含四级化合物,胺氧化物、烷醇胺、醯胺、菜 、胺基酸、及胍衍生物之组中;其量足够且于某种pH可促进触媒及吸附于表面上且消除在粘附金属层内其表面上或其特选部上形成之裸点者;该溶液或用于瞬即接于其后之预处理步骤,或构成用于催化序列而令表面对金属沈积具有接受性﹒之该等溶液的一部份。5.金属化陶瓷基质之方法,包含以熔融金属化合物粘附促进该基质面;继以使用无电铜沈积浴无电式沈积较5微米为厚之钢层在经粘附促进的表面上;无电钢浴包含铜离于、次乙二胺四乙酸(EDTA)及铜离子还原剂;其改良部份包含:继而无电沈积金属层与金属间避免生成浮泡,系经由:将水与至少一种 金属化合物混合以提供 金属组合物,水量系足够将 金属组合物熔点降至145-240C者;使用呈熔融态之 金属组合物将陶瓷面粘附促进历1-200分钟时间;及破金属组合物于145-240C温度加热而使之呈熔融,令陶瓷面与熔融 金属组合物在45-240c之温度接触1-200分钟时间而使陶瓷面之粘附性受促进者。6.根据上述请求专利部份第5项之方法,复包括在陶瓷面粘附促进之后且在其上形成金属层之前,让表面暴于酸性卤化物溶液之步骤,让溶液含有一种或多种择自氯、漠及碘之卤化物而其量大于0.5莫耳卤化物/升,并足够促进触媒吸附于表面上且消除在粘附金属层内其表面上成其特选部份上形成之裸点者;该溶液或用于瞬即接于其后之预处理步骤,或构成用于催化序列而令表面对金属沈积具有接受性之该等溶液的一部份。7.根据上述请求专利部份第5项之方法,其中该破金属化合物为氢氧化钠或氢氧化钾。8.根据上述请求专利部份第5项之方法,其中该 金属组合物含有10-40%重量比水。9.根据上述请求专利部份第8项之方法,其中该 金属组合物系于160-180c之温度加热者。10.根据上述请求专利部份第9项之方法,其中该陶瓷面经粘附促进历3-45分钟时间者。11.根据上述请求专利部份第9项之方法,其中 金属组合物系于170-175C之温度加热者。12.根据上述请求专利部份第11项之方法,其中陶瓷面保经粘附促进历5-15分钟时间者。13.根据上述请求专利部份第5项之方法,其中无浮泡金属层系无电沈积于陶瓷面上至5-75微米厚者。14.在陶瓷基质表面上产生较5微米为厚之金属层而在金属层与陶瓷面间无浮泡之方法,该法包含如下各步骤:提供含水及0.35-0.9莫耳分量之 金属化合物之 金属组合物;于145-240C间之温度加热金属组合物使之熔融者;令陶瓷面与熔融 金属组合物接触一段时间足够促进该陶瓷面之粘附性者;该 金属组合物内存在的该金属化合物之莫耳分量经选择以便调整该经粘附促进面之表面形式,因而有时按着以无电金属沈积浴沈积于表面上之金属粒可粘附至该表面而未在金属层与陶瓷面间生成浮泡者;活化该经粘附促进之表面使之对粘附金属沈积具有接受性;及以无电金属沈积浴沈积具合意厚度之金属层,而未生成浮泡。15.根据上述请求专利部份第14项之力法,其中该 金属化合物为氢氧化钠或氢氧化钾。16.根据上述请求专利部份第14项之方法,其中该 金属组合物含有0.4-0.6莫耳分量 金属化合物。17.根据上述请求专利部份第16项之方法,其中该 金属组合物系于170-175C之温度加热者。18.根据上述请求专利部份第14项之方法,其中该无浮泡金属层系无沈积于陶瓷面上至5-75微米厚者。19.根据上述请求专利部份第14项之方法,其中该陶瓷面系藉将陶瓷金属沈浸入熔融 金属组合物内而与熔融 金属组合物接触者。20.根据上述请求专利部份第14项之方法,其中该陶瓷面系经粘附促进历5-15分钟期间者。 |
