| 摘要 |
Un procédé permet de produire des régions P 9E ou N 9E hyperabruptes (12) dans la couche proche de la surface d'un cristal (10) sensiblement dépourvu d'impuretés en utilisant l'épitaxie de la phase solide et le recuit transitoire. On commence le processus de production d'une distribution rétrograde hyperabrupte de la substance dopante en rendant amorphe la couche proche de la surface d'un cristal de base, puis en implantant une distribution rétrograde abrupte de la substance voulue dans la couche amorphe, de sorte que la distribution rétrograde se limite à la couche amorphe, en évitant ainsi des effets de canalisation pendant l'implantation. On rétablit la structure sensiblement dépourvue de défauts du cristal de base implanté à une température suffisamment élevée pour induire la croissance épitaxiale de la phase solide sur le cristal sous-jacent n'ayant pas été rendu amorphe, mais à une température suffisamment basse pour éviter une diffusion significative de la substance implantée. La substance implantée est activée par la suite par un processus rapide de recuit thermique, à une température suffisamment élevée pour activer la substance implantée, mais pendant une durée très courte pour qu'il n'y ait pas de diffusion de longue portée. Dans un mode préféré de réalisation, la substance implantée est le bore, BF2+, phosphore ou arsénique dans les 0,20 micromètres supérieurs d'un cristal de base de silicium sensiblement dépourvu de défaut, en masse ou déposé épitaxialement sur un substrat isolant tel que le saphir. |
