| 摘要 |
Il est proposé un dispositif semiconducteur muni d'une couche de métal (1, 2) qui présente dans les régions soumises à un choc thermique une surface structurée. A cet effet, il est prévu au-dessus de la couche de métal (1) à la surface supérieure du semiconducteur, des parties saillantes d'oxyde (16) qui ménagent dans la couche de métal de revêtement une structure déterminée. Ainsi, lorsqu'en raison de chocs thermiques, des allongements différents du matériau semiconducteur et de la couche de métal (1) et des tensions de cisaillement se produisent, la surface supérieure s'oppose à tout déchirement ou fente. |
