Semiconductor device and method for manufacturing the same

摘要

본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자는 기판, 상기 기판으로부터 돌출되어 제1 방향으로 연장된 활성 패턴, 상기 활성 패턴을 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 가로지르며 상기 제1 방향으로 서로 이격하는 제1 및 제2 게이트 전극들, 및 상기 제1 및 제2 게이트 전극들 사이에 배치되며 상기 활성 패턴 상에 제공되는 소스/드레인 영역을 포함한다. 상기 소스/드레인 영역은 상기 활성 패턴의 최상부면에 인접하되 상기 활성 패턴의 상기 최상부면보다 낮은 레벨에 제공되는 제1 부분, 및 상기 제1 부분과 접하며 상기 제1 부분의 아래에 배치되는 제2 부분을 포함한다. 상기 제1 부분은 상기 기판으로부터 멀어질수록 상기 제1 방향으로의 폭이 좁아지고, 상기 제2 부분은 상기 기판으로부터 멀어질수록 상기 제1 방향으로의 폭이 넓어진다.