| 主权项 |
1﹒在一种半导体装置中包含的一个片状器件是以半导体元素作为主要元素来形成电气线路,大量的导线是电气地连接至所述片状器件的大量电气终端,及一个包封体是把所述片状器件及所述大量导线的部份密封,其中改良是从所述包封物体伸出的所述导线在其表面上形成一层熔焊剂,导线的基层构件是主要含铜之铜合金,而含锡与镍,或含铁与镍之合金层则在构成导线之基层构件的表面上形成,而在所述熔焊层底下形成一层主要含铜之金属镀层。2﹒依请求专利部份第1项的半导体装置,其中主要含铜之金属层电镀层是纯铜电镀层,包含了纯铜及不可避免地涉入的杂质。3﹒依请求专利部份第1﹒项的半导体装置,其中主要含铜之金属层电镀层是锌与铜之合金电镀层,包含了重量比为0﹒005至0﹒2%的锌,而其余则为铜与不可避免地涉入的杂质。4﹒半导体装置所包含的一个片状器件是以半导体元素作为主要元素来形成半导体积体电路,大量的导线经由幼金属线电气地连接至所述片状器件的大量结合垫,及一个树脂包封体是把所述片状器件,所述幼金属线,及所述大量的导线之连接所述幼金属线之部位密封,其中的改良是所述导线的基层构件是主要含铜之铜合金,在所述导线的基层构件的整个表面上形成含镍与锡或铁之合金层,而从所述树脂包封物体伸出之导线在其表面上形成一层熔焊剂,在所述熔焊层底下则形成主要含铜之金属层电镀层。5﹒依请求专利部份第7﹒项的半导体装置,其中主要含铜之金属电镀层是包含纯铜与不可避免地涉入的杂质之纯铜电镀层。6﹒依请求专利部份第7﹒项的半导体装置,其中主要含铜之金属电镀层是锌与铜之合金电镀层,包含了重量比为0﹒05至0,2%的锌,而其余为铜与不可避免地涉入杂质。7﹒依请求专利部份第7﹒项的半导体装置,其中的半导体装置是PLCC(塑胶导引晶片载具)型。8﹒依请求专利部份第7﹒项的半导体装置,其中的半导体装置是FPP(平塑胶包装件)型。9﹒制造半导体装置的方法包含一个片状器件是以半导体元素作为主要元素来形成电气线路,大量的导线电气地连接至所述片状器件的大量电气终端,及一个包封体是把所述片状器件与所述大量导线的部份密封,其中主要含铜之金属层电镀于从所述包封物体伸出之所述导线上,而在所述金属层上形成一层熔焊层。10﹒依请求专利部份第12项之制造半导体装置的方法,其中所述主要含铜之金属层是以电镀法把含纯铜及不可避免地涉入的杂质之纯铜来形成。11﹒依请求专利部份第12项之制造半导体装置的方法,其中所述主要含铜之金属层的形成是电镀上锌与铜的合金,其包含重量比为0﹒05至0﹒2%的锌,而其余则为铜与不可避免地介入的杂质。12﹒制造半导体装置的方法,把以半导体元素作为主要元素来形成半导体积体电路之片状器件结合至由主要含铜之铜合金装成基层构件之导线架上之步骤,把所述片状器件的结合垫经由幼金属线连结至它们对应的导线之步骤;以树脂把片状器件及其边缘包封而形成树脂包封体之步骤;在从树脂包封物体伸出之导线的表面上形成一层纯铜层或一层含重量比为0﹒05至0﹒2%的锌之铜合金层之步骤;及在所述纯铜层或所述铜合金层上形成熔焊层之步骤。13﹒依请求专利部份第15项之制造半导体装置的方法,其中导线架是由基层构件制成,构件上形成含锡与镍的合金层或金铁与镍的合金层。 |
