发明名称 SURFACE REFORMING MATERIAL RESIST PATTERN FORMATION METHOD AND PATTERN FORMATION METHOD
摘要 지지체와 레지스트막 사이에 형성되는 표면 개질층을 형성하기 위한, 질량 평균 분자량이 1000 ∼ 50000 인 에폭시 수지를 함유하는 표면 개질 재료 ; 지지체 상에, 당해 표면 개질 재료를 사용하여 표면 개질층을 형성하는 공정과, 상기 표면 개질층이 형성된 상기 지지체 상에, 레지스트 조성물을 사용하여 레지스트막을 형성하는 공정과, 상기 레지스트막을 노광하는 공정과, 상기 레지스트막을 알칼리 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법 ; 및 상기 레지스트 패턴 형성 방법에 의해 레지스트 패턴이 형성된 지지체에 대하여 에칭 처리를 실시하는 공정을 포함하는 패턴 형성 방법.
申请公布号 KR101674689(B1) 申请公布日期 2016.11.09
申请号 KR20110022725 申请日期 2011.03.15
申请人 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 发明人 히라노 이사오;츠치야 준이치
分类号 G03F7/004;G03F7/00;G03F7/11 主分类号 G03F7/004
代理机构 代理人
主权项
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