| 发明名称 |
PROCESS FOR PRODUCING THIN SINGLE CRYSTAL SILICON ISLANDS ON INSULATOR |
| 摘要 |
Un procédé de fabrication de semiconducteurs utilise une couche épitaxiale qui forme une barrière contre l'attaque dans un procédé d'attaque au plasma. Dans un mode de réalisation, des barrières mécaniques et une couche épitaxiale sont utilisées de manière combinée pour arrêter l'attaque de manière précise en un point final désiré. |
| 申请公布号 |
WO8805600(A1) |
申请公布日期 |
1988.07.28 |
| 申请号 |
WO1988US00241 |
申请日期 |
1988.01.26 |
| 申请人 |
ADVANCED MICRO DEVICES, INC. |
发明人 |
SHIOTA, PHILIP, S. |
| 分类号 |
H01L21/301;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/306 |
主分类号 |
H01L21/301 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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