| 主权项 |
l.一种矽单结晶之制造方法,系将放入于坩埚内之熔融矽向上提起而制造矽单结晶之方法,其特征在于:以隔板将上述坩埚内予以隔离,便围绕上述提起之单结晶且使熔融之矽平静地移动,且覆盖从该隔板之熔融液面之露出部与该隔板之外侧予以保温,于上述隔板之外侧将粒状矽连续地供应于熔融液表面上,使上述隔板外侧之熔融液整体成为可溶解粒状矽之区域,同时控制使该供应之粒状矽之熔融温度较矽之熔融点至少高l2℃以上。2.一种矽单结晶之制造装置,系将放入于坩埚内之熔融矽向上提取以制造矽单结晶之装置,其特征在于备有:至少贯设一个小孔且配设于上述坩埚内围绕上述提取之矽单结晶,而将该坩埚区分单结晶培养部与原料供应部之隔离用环;配设于上述原料供应部之上方的粒状矽之供应装置;用以覆盖从该隔离用环之熔融液面之露出部与上述原料供应部之保温板;及将上述坩埚之侧壁与底部分别独立地予以加热之加热体。图示简单说明:第1图系将本发明实施例以模式表示之纵剖面图;第2图系表示沿第1图之1一1线的剖面图;第3图系表示隔离用环之实施例的侧面图;第4图系表示保温板之实施例的侧面图;第5图系表示粒状矽之熔解时间与从矽熔融点之温度之关系的线图。 |
