发明名称 多源型平面磁控溅射源
摘要 一种多源型不面磁控溅射源,其磁场源由一个固定的外磁组件、一个或多个可作旋转运动的内磁组件6构成,溅射靶板8由若干个可拆换的异质扇形单元靶拼成,溅射靶板8的上方有一个开有扇形窗口、能同内磁组件6作同步运动的挡板25。该溅射源具有共溅沉积合金膜、沉积多层膜或沉积单质薄膜等功能。沉积多层膜时靶材利用率达75%以上;共溅沉积合金膜时,靶材利用率达85%以上,膜层成份配比精确度高、厚度均匀性好。
申请公布号 CN1003945B 申请公布日期 1989.04.19
申请号 CN87106938.5 申请日期 1987.10.12
申请人 浙江大学 发明人 王德苗;任高潮
分类号 C23C14/34 主分类号 C23C14/34
代理机构 浙江大学专利代理事务所 代理人 连寿金
主权项 1.一种多源型平面磁控溅射源,包括磁场源、溅射靶、水冷器、挡板及屏蔽罩,其特征在于:—磁场源由固定的外磁组件和可绕轴转动的内磁组件6构成,其中,外磁组件包括环状下极靴2,环状磁体3,环状上极靴4及反向磁体5,内磁组件6包括扇形极靴i,V形磁体ii和扇形磁体iii。—溅射靶板8由多个异质扇形板拼装而成。—内磁组件6设置于水冷器中,且冷却水优先进入内磁组件6,并从内磁组件6顶部溢出。—挡板25设置在溅射靶板8的上方,并在对应于内磁组件6的位置开有一个或多个扇形窗口,该挡板25可与内磁组件6作同步转动或摆动。
地址 浙江省杭州市玉泉