发明名称 三羟甲基甲胺(TAM)晶体与生长方法及在X射线光谱仪中的应用
摘要 一种适合于X射线光谱分析用的晶体材料及其生长方法,该晶体用水溶液降湿法生长,所用溶剂为水,籽晶的形状为长条状,生长温度区间为60℃-室温,该晶体可用沾水的纱线切割,用刀片解理出所需尺寸的晶片,制成平晶或弯晶X射线单色器,该晶体的(020)面,2d值为8.78是强的衍射面,具有优于PET晶体(002)面的衍射性能,分析灵敏度高,且晶体长速快,生长周期短,成品率高,机械性能好,能代替PET用于X射线光谱分析仪上作单色器。
申请公布号 CN1003946B 申请公布日期 1989.04.19
申请号 CN85107621.1 申请日期 1985.10.10
申请人 中国科学院福建物质结构研究所 发明人 苏根博;李征东;黄躬泛
分类号 C30B29/54;C30B7/04 主分类号 C30B29/54
代理机构 中国科学院福建物质结构研究所专利代理处 代理人 何小星
主权项 1.一种水溶液生长三羟甲基甲胺晶体的方法,生长过程按一定程序配料,下籽晶、降温生长、本发明的特征在于:(1)晶体生长所用熔剂为水;(2)按TAM的溶解度——温度表示式St=11.0+2.18t配制饱和溶液;生长温度区间为60℃-40℃至室温,(3)籽晶采用外形完整的小晶体或从晶体中切割出长1-2cm的条状籽昌;(4)晶体生长过程中,晶体转速为30转/分;
地址 福建省福州市西河