| 主权项 |
l﹒一种半导体装置之制造法包含用以制备有主表面,及某种导电形式预定不纯物浓度之半导体基片的过程,在前述基片主表面上注入氧离子以退火使前述基片内形成埋入氧化膜的过程,及在前述己退火的前述基片上,且邻接前述埋入氧化膜用品膜生长法在其上部形成某种导电形式之半导体层的过程者。z.依据申请专利范围第l项所述半导体装置之制造方法,前述半导体基片系矽基片,而前述埋入氧化膜系埋入矽氧化膜者。3.依据申请专利范围第2项所述半导体装置之制造法,前述用晶膜生长法形成某种导电形式之半导体层之过程系包含,以第一不纯物浓度离子注入某种导电形式之不纯物的过程,和以低于前述第l不纯物浓度的第2不纯物浓度使与前述不纯物同一导电形式之矽单晶体层晶膜主长的过程者。4.依据申请专利范围第3项所述半导体装置之制造方法,前述半导体层具备主表面,更包含在前述半导体层之主表面上形成使形成于其上之复数基元分离之基元分离领域的过程者。5.依慷申谙专利范围第4项所载半导体装置之制造方法,前述形成基元分离领域之过程系包含,在前述半导体层之主表面上形成掩蔽层,在形成前述掩蔽层之前述基元分离领域之部份形成窗口的过程,介着前述窗口除去前述半导体层之过程。及在前述除去半导体层之部份形成基元分离部份的过程者。6.依据申请专利范围第5项所载半导体装置之制造方法,前述形成掩蔽层的过程系回合形成矽氧化层的过程,面前述形成窗口之过程系包含用前述照相制版法除去前述矽氧化层之过程者。7﹒依据申请专利范围第6项所述半导体装置之制造方法,前述除去半导体层之步骤系包含以选择性蚀刻除去前述半导体层之过程者。8.依据申请专利范围第7项所述半导体装置之制造法,前述形成基元分离部份的过程系包含,在前述除去半导体层之部份形成与前述不纯物同一导电型之扩散层的过程。在前述扩散层上形成绝缘层的过程,在前述绝缘层上部形成聚矽层以免前述绝缘层在前述基元分离部份形成凹部的过程者。9.依据申请专利范围第8项所载半导体装置之制造方法,前述绝缘层系包含矽氧化层者。10.依据申请专利范围第9项所载半导体装置之制造方法,前述除去半导体层之过程系包含使从前述半导体层之主表前上向前述埋入氧化层依次被除去之半导体层之宽度变窄,而在前述埋入氧化膜上则使前述半导体层之宽度变为零地除去的过程者。11﹒依据申请专利范围第10项所载半导体装置之制造方法,更包含从前述矽氧化层之上部除去形成于前述半导体层之主表面上的矽氧化层和形成于前述半导体层被除去之部分的绝缘层和前述聚矽层至露出形成第五图系说明向来用SIMOX分离基元以制造半导体装置之方法所用之部份断面图,第六图系示意地表示与氧离子注入量与退火处理温度有关的晶体状态之图,第七图系表示氧离子注入量,埋入si02之厚度以及表面残留矽层之厚度之关系之图。于前述基片上的半导体层之主表面的过程者。图示简单说明:第一a图-第一k图系表示本发明之第一发明的一实施例之半导体装置之制造法的各工程的图,第二图系表示氧离子注入量与埋入氧化膜厚度以及耐压之关系之图,第三a-第三f图系表示向来的半导体装置之制造法的各工程之图。第四图系说明本发明之第二发明的半导体装置之制造法所用部份断面图 |
