发明名称 |
ATOMIC LAYER EPITAXIAL GROWING METHOD |
摘要 |
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申请公布号 |
JPH01194318(A) |
申请公布日期 |
1989.08.04 |
申请号 |
JP19880018393 |
申请日期 |
1988.01.28 |
申请人 |
FUJITSU LTD |
发明人 |
MOCHIZUKI KOJI;OTSUKA NOBUYUKI;OZEKI MASASHI |
分类号 |
H01L21/205;C30B25/02;C30B29/40;H01L21/20 |
主分类号 |
H01L21/205 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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