发明名称 同步整流器用低阻电交连装置
摘要
申请公布号 TW117922 申请公布日期 1989.09.01
申请号 TW076105280 申请日期 1987.09.08
申请人 休斯飞机公司 发明人 艾尔文古朗;查尔斯康克林
分类号 H02M1/00 主分类号 H02M1/00
代理机构 代理人 田德俭 台北巿八德路三段八十一号七楼之七
主权项 1.一同步整流器装置,包括:一导电外壳;最少一功率电晶体,该电晶体具有一漏极区域,一源极区域,及一闸极区域;一导电基门层,如于所述电晶体上而与所述漏极区域成电接触,所述基片软焊在所述外壳之内侧表面,以将所述电晶体固定于所述外壳上,并在所述漏极区域及所述外壳间形成一低电阻之电气连接;形成一电气交运至所述电晶体闸极区域之装置;及形成一低电阻电气连接至所述电晶体源极区域之装置,以承载高电流水准,所述装置包括:(i)一或多个可软焊之接点凸块,从所述电晶体之暴露表面延伸,与所述源极区域成电气接触;(ii)一导电构件,该构件具有第一及第二端,所述构件通过所述外壳并与外壳隔离,以使所述第一端安置在所述外壳之内部,接近所述电晶体;及(iii)一柔软易弯之导电扁条,具有第一及第二端,所述第一端软焊至所述接点凸块,而所述第二端则软焊至所述导电构件之所述第一端。2. 请求专利第1项所述之装置,其中所述导电扁条为一镀金之铜扁条。3﹒请求专利第1项所述之装置,其中所述凸块接点可将所述扁条之所述第一端提高至所述暴露表面之上,以避免与所述表面接触。4﹒一同步整流器装置,包括:一外壳;最少一功率场效电晶体,该电晶体具有一漏极区域,一源极区域,及一闸极区域;一导电材料层,固装在所述外壳之内部表面;一导电基片,加于所述电晶体上而与所述漏极区域成电气接触,所述基片系软焊至导电材料之所述层上;形成一低电阻电气连接至所述导电材料层之装置,以承载高电流水准;形成一电气连接至所述电晶体闸极区域之装置,以承载电晶体控制信号;及形成一低电阻电气连接至所述源极区域之装置,以承载高电流水准,所述装置包括:(i)一或多个可软焊之接点凸块,自所述电晶体之暴露表面延伸,与所述源极区域成电气接触;(ii)一第一导电构件,具有第一及第二端,所述构件通过所述外壳,以使所述第一端安置在所述外壳之内部,接近所述电晶体;及(iii)一第一柔软易弯之导电扁条,该扁条具有第一及第二端,所述第一端软焊至所述接点凸块上,而所述第二端则软焊至所述导电构件之所述第一端。5﹒请求专利第4项所述之装置,其中所述形成一低电阻电气连接至导电材料层之装置包括:(i)一第二导电构件,具有第一及第二端,所述构件通过所述外壳,以使所述第一端安置在所述外壳之内部,接近所述电晶体;及(ii)一第二柔软易1l之导电扁条,该扁条具有第一及第二端,所述第一端软焊至所述导电材料层,而所述第二端则软焊至所述第二导电构件之所述第一端。6﹒讲求专利第4项所述之装置,其中所述外壳为一种电气绝缘材料所制成。7﹒一功率处理半导体装置,包括:一导电外壳;最少一功率电晶体,该电晶体具有一漏极区域,一源极区域,及一闸极区域;一导电基片层,耦合于所述电晶体而与所述漏极区域成电气接触,所述基片层系以机械方式焊于且电耦合于所述外壳之一内部表面,以便得所述电晶体固定于所述外壳上,并在所述漏极区域及所述外壳之间形成一低电阻电气连接;形成一电气交连至所述电晶体闸极区域之装置,及形成一低电阻电气连接至所述电晶体源极区域之装置,以承载高电流水准,所述装置包括:(i)一或多个可软焊之接点凸块,自所述电晶体之一暴露表面延伸,与所述源极区域成电气接触;(ii)一导电构件,该构件具有第一及第二端,所述构件通过所述外壳并与外壳成电气隔离,以使所述第一端安置在所述外壳之内部,接近所述电晶体;及(iii)一柔软易弯之导电扁条,该扁条具有第一及第二端,所述第一端软焊至所述接点凸块,而所述第二端则软焊至所述导电构件之第一端。8.请求专利第7项所述之装置,其中所述导电扁条为一镀金之铜扁条。9.讲求专利第7项所述之装置,其中所述凸块接点可将所述扁条之所述第一端提高至所述暴露表面之上以避免与所述表面接触10.一功率处理半导体装置,包括:一外壳;最少一功率场效电晶体,该电晶体具有一漏极区域,一源极区域,及一闸极区域;一导电材料层,固装在所述外壳之一内部表面;一导电基片,加于所述电晶体上而与所述漏极区域成电气接触,所述基片系软焊于导电材料层;形成一低电阻电气连接至所述导电材料层之装置,以承载高电流水准;形成一电气连接至所述电晶体闸极区域之装置,以承载电晶体控制信号;及形成一低电阻电气连接至所述源极区域之装置,以承载高电流水准;所述装置包括:(i)一或多个可软焊之接点凸块,自所述电晶体之一暴露表面延神,与所述源极区域成电气接触;(ii)一第一导电构件,该构件具有第一及第二端,所述构件通过所述外壳以使所述第一端安置在所述外壳之内部 ,接近所述电晶体;及(iii)一第一柔软易弯之电气导体扁条,该扁条具有第一及第二端,所述第一端软焊至所述接点凸块上,而所述第二端则软焊至所述导电构件之所述第一端。11.请求专利第10项所述之装置,其中所述形成一低电阻电气连接至所述导电材料层之装置包括(i)一第二导电构件,该构件具有第一及第二端,所述构件通过所述外壳以使所述第一端安置在所述外壳之内部,接近所述电气导体材料;及(ii)一第二柔软易弯之电气导电扁条,该扁条具有第一及第二端,所述第一端软焊至所述导电材料层,而所述第二端则软焊至所述第二导电构件之所述第一端。12.请求专利第10项所述之装置,其中所述外壳系由一电气绝缘材料所制成。图示简单说明:图l为本发明第一示范性同步整流器电路之部份平面图。图2为沿图1中2一2线截取之断面图。图3为具体表现本发明之同步整流器第二示范性具体贾例平面图。图4为沿图3中4一4线截取之断面图。图5为以交连装置并联多数功率场效电晶体之本发明同步整流器电路第三示范性具体实例平面图。
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