| 主权项 |
1.一种半体装置之自动硬化炉系包括:将气体注入该系统之装置;选择性连接于该注入气体装置之气体加热装置;选择性连接于该气体加热装置及冷却装置之长体分配装置;具有第一端部及第二端部之流通式半导体装置固定装置,第一端部连接于气体分配装置,该流通式半导体装置固持装置乃可被移除者;连接于半导体装置固持装置第二部之主排气管装置;夹定及密封装置,用以达成气体分配装置与流通式半导体装置固持装置之第一端部间以及主排气管装置与该固持装置之第二端部间之气密性密封;及输送装置,流通式半导体装置固持装置系以可移动式置于其上及被输送。2.根据申请专利范围第1项之炉系统,其中该炉系统由并入炉系统中之一中央处理罩位控制。3.根据申请专利范围第2项之炉系统,其中该注入气体装置包括选择性导界气体至气体加热装置或冷却装置之阀装置。4.根据申请专利范围第2项之炉系统,其中该气体分配装置包括一歧管,此歧管具有包含衆多孔之面板,该面板乃可移除及互换。5.根据申请专利范围第4项之炉系统,其中衆多孔系以预定方式排列成对应于流通式半导体装置之固持装置,俾使气体在固持装置之第一端部进入及流至第二端部。6.根据申请专利范围第5项之炉系统,其中流通式半导体装置固持装置用作炉室。7.根据申请专利范围第2项之炉系统,其中主排气管装置包括气体再循环装置。8.根据申请专利范围第2项之炉系统,其中夹定及密封装置包括位于流通式固持装置之第一端部与长体分配装置间之第一垫圈及位于流通式固持装置之第二端部与主排气管装置间之第二垫圈,该夹定及密封装置另包括使第一及第二垫圈与该固持装置之各别端部接触之装置。9.半导体装置之硬化炉系统包括:一加热器;冷却装置;连接于该加热器与冷却装置之阀装置,此阀装置选择性导引气体流入加热器或冷却装置,及该阀装置亦连接于气体来源;选择性连接于加热器及冷却装置之一歧管;固持半导体装置之一盒,具有第一及第二端部,第一端部连接于歧管,及该盒乃可移除者;连接于该盒之第二端部之一主排气管;夹定及密封装置,用以达成歧管与盒之第一端部间及主排气管与盒之第二端部间之气密性密封;及盒输送器,该盒被系以可移动式置于其上并被输送通过硬化炉系械。10. 根据申请专利范围第9项之炉系统,其中炉系统系由并入炉系统中之一中央处理器控制。11. 根据申请专利范围第10项之炉系统,其中该歧管包括一可取下及互换之面板,此面板包括衆多孔。12. 根据申请专利范围第11项之炉系统,其中衆多孔排列成与盒对应之预定形式,以使气体在盒之第一端部进入盒及流个第二端部。13. 根据申请专利范围第12项之炉系统,其中该盒用作炉室。14. 根据申请专利范围第10项之炉系统,其中主排气管包括气体再循环装置。15. 根据申请专利范围第10项之炉系统,其中夹定及密封装置包括位于该盒之第一端部与歧管间之第一垫圈及位于该盒之第二端部与主排气管间之第二垫圈,夹定及密封装置亦包括使第一及第二垫圈接触该盒之各别端部之装置。16.半导体装置之自动硬化炉系统包括:一加热器;冷却装置;连接于气体来源之至少一个阀,此至少一个阀亦连接加热器及冷却装置,以选择性导引气体流入加热器或冷却装置;具有可移除及可互换面板之一歧管,此歧管系选择性连接于加热器及冷却装置;具有第一敞开端部及第二敞开端部之一半导体装置盒,当该盒被置于炉室区时,第一端部连接于歧管,及盒为可取下者;连接于该盒第二端部之一主排气管;位于该盒第一端部与歧管间之第一垫圈;位于该盒第二端部与主排气管间之第二垫圈;达成第一及第二垫圈分别与该盒之第一及第二端部间接触之装置。一盒输送器该盒系以可移动方式置于其上并被输送;以及并入炉系统巩之用以控制炉系统之一中央处理器。17. 根据申请专利范围第16项之炉系统,其中歧管面板包括衆多孔,各孔系以预定方式排列成与该盒对应,俾使气体在第一端部流入盒并流向二端部。18. 根据申请专利范围第17项之炉系统,其中该盒用作炉室。19. 根据申请专利范围第18项之炉系统,其中主排气管包括将气体再循环至该至少一个阀之挡板。20.一种用以制造半导体装置之硬化炉系统包括:容纳待硬化之衆多半导体装置之一盒;以可密封方式容纳该盒之一室,俾使该盒用作供气体流动之一导管;及使气体通过该盒之装置。图示简单说明:图1为根据本发明之半导体装置之自动硬化炉系统之概略正面图。图2为自动硬化炉系统之概略侧面图图3为自动硬化炉系统之概格顶部图图4为半导体装置固持盒之端部图。图5为半导体装置固持盒之断面图。 |
