| 摘要 |
후판 제조방법 및 이에 의해 제조된 후판에 대한 발명이 개시된다. 본 발명에 따른 후판 제조방법은 탄소(C), 실리콘(Si), 망간(Mn), 인(P), 황(S), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 니오븀(Nb), 바나듐(V), 보론(B) 및 잔량의 철(Fe)과 기타 불가피한 불순물로 이루어지는 강 슬래브를 재가열하는 단계; 상기 재가열된 강 슬래브를 열간 압연하는 단계; 및 상기 열간 압연된 강 슬래브를 냉각하는 단계;를 포함한다. |
