| 主权项 |
1.一种树脂密封式IC调整器,其包括连接于一发电机之第一连接端,连接于该发电机以外的设备之第二连接端,安装于一导电构件上且连接于该第一连接端和第二连接端以控制该发电机的操件之单石IC,以及一绝缘树脂模制部分,让树脂模制部份具有一由第一树脂模制而成之第一模制部份,此第一模制部分密封上述单石IC和至少一部份该第一和第二连接端以使该第一和第二连接端可藉此固定,及一第二模制部分,此第二模制部分具有一体成形于其上而由第二树脂所整体模制成之连接器外壳部份,让一体成形之方式是将树脂模制成使该第二连接端被包围起来。2.如申请专利范围第1项之树脂密封式IC调整器,其中具有一体成形于其上而由第二树脂所整体模制成之连接器外壳部分之第二模制部分至少由外覆盖住所述第一模制部分的一部分。3.如申请专利范围第1项之树脂密封式IC调整器,其中该第一和第二连接端以及该导电构件系由相同材料制成。4.如申请专利范围第3项之树脂密封式IC调整器,其中该第一连接端,第二连接端以及导电构件均系从一电导性物质所制成的平板上藉冲孔方法来制成的。5.如申请专利范围第1项之树脂密封式IC调整器,其中该第一和该第二树脂是同类树脂。6.如申请专利范围第1项之树脂密封式IC调整器,其中该第一和该第二树脂是不同类树脂。7.如申请专利范围第6项之树脂密封式IC调整器,其中该第一和该第二树脂之艾式(lzod)机械强度不同或者弯折强度不同。8.如申请专利范围第7项之树脂密封式比调整器,其中该第二树脂之强度大于第一树脂之强度。9.如申请专利范围第1项之树脂密封式IC调整器,其中该第二连接端之顶端位于围绕该端之该连接器外壳部份中之空穴内。10.如申请专利范围第6项之树脂密封式IC调整器,其中该第一树脂和该第二树脂之特征为,在模制时,该第一树脂具有低于第二树脂之黏度,而在模制之后,该第二树脂具有高于该第一树脂之艾式机械强度或弯折强度。11.如申请专利范围第6项之树脂密封式IC调整器,其中该第一树脂由固热树脂制成,而该第二树脂由热塑树脂制成。12.如申请专利范围第1项之树脂密封式IC调整器,其中该第一树脂被模制成使至少从该第一模制部份延伸之该第二连接端根部份被该第二树脂所覆盖。13.如申请专利范围第1项之树脂密封式IC调整器,其中该第二树脂部分被模制成使至少该第一模制部份之一部份由该第二树脂固定并固定衔接于其中。14.如申请专利范围第13项之树脂密封式IC调整器,其中至少该第一和第二模制部份之一接触面经粗化处理。15.如申请专利范围第14项之树脂密封式IC调整器,其中该粗化表面由凹面和凸面组成。16.如申请专利范围第1项之树脂密封式IC调整器,其中该第二连接端朝着与第一树脂模制而成之该第一模制部份研定的表面方向弯曲一顶定角度。17.一种树脂密封式IC调整器,其包括连接于一发电机之第一连接端,连接于该发电机以外的设备之第二连接端,安装于一导电构件上且连接于该第一连接和该第二连接端以控制该发电机的操作之单石IC,一绝缘树脂模制部分,让树脂模制部份具有一由第一树脂模制而成之第一模制部份,此第一模制部分密封上述单石IC和至少一部份该第一和第二连接端以使该第一和第二连接端可藉此固定;及一第二模制部分,此第二模制部分具有一体成形于其上而由第二树脂所整体模制成之连接器外壳部份,让一体成形之方式是将树脂模制成使该第二连接端被包围起来,以及固定在以该第一树脂模制之该单石IC附近之高导热材料制成之散热座。18.如申请专利范围第17项之树脂密封式IC调整器,其中所述以第二树脂模制成之第二模制部分至少由外覆盖住所述第一模制部分的一部分。19.如申请专利范围第17项之树脂密封式IC调整器,其中该第二连接端之顶端位于围绕该端之该连接器外壳部份中之空穴内。20.如申请专利范围第17项之树脂密封式IC调整器,其中该第一树脂由热固树脂制成,而让第二树脂由热塑树脂制成。21.如申请专利范围第17项之树脂密封式IC调整器,其中该散热座以与第二连接端弯折的方向相同的方向来固定在该模制部分的一个表面上。22.一种树脂密封式半导体装置,其包括连接于一电负载之许多第一连接端,连接于该电负载以外的设备之第二连接端,安装于一导电构件上且连接于该第一连接端和第二连接端以控制讶电负载的操作之单石IC,以及一绝缘树脂模制部分,让树脂模制部份具有一出第一树脂模制而成之第一模制部份,此第一模制部分密封上述单石IC和至少一部份该第一和第二连接端以使该第一和第二连接端可藉此固定;及一第二模制部分,此第二模制部分具有一体成形于其上而由第二树脂所整体模制成之连接器外壳部份,让一体成形之方式是将树脂模制成使该第二连接端被包围起来。23.如申请专利范围第22项之树脂密封式半导体装置,其中所述以第二树脂模制成之第二模制部至少由外覆盖住所述第一模制部分的一部分。24.如申请专利范围第22项之树脂密封式半导体装置,其中该第一和第二连接端以及该导电构件系由相同材料制成。25.如申请专利范围第22项之树脂密封式半导体装置,其中该第二连接端之顶端位于围绕该端之该连接端外壳部份中之空穴内。26.如申请专利范围第1项之树脂密封式IC调整器,其中该树脂模制部份上具有一贯穿之洞孔。27.如申请专利范围第22项之树脂密封式半导体装置,其中该树脂模制部份上具有一贯穿之洞孔。28.一种树脂密封式半导体装置,其包括连接于一电负载之许多第一连接端,连接于该电负载以外的设备之第二连接端,安装于一导电构件上且连接于该第一连接端和第二连接端以控制该负载的操件之单石IC,以及一绝缘树脂模制部分,让树脂模制部份具有一出第一树脂模制而成之第一模制部份,此第一模制部分密封上述单石IC和至少一部份该第一和第二连接端以使该第一和第二连端接直接从该模制部份之外部延伸至该单石IC附近之一部分处并呈一体地固定,及一第二模制部分,此第二模制部分具有一体成形于其上而由第二树脂所整体模制成之连接器外壳部份,该一体成形之方式是将树脂模制成使该第二连接端被包围起来。29.如申请专利范围第28项之树脂密封式半导体装置,其中电负载是发电机。30.如申请专利范围第28项之树脂密封式半导体装置,其中该第一连接端是可直接连接于该电负载之一部份的端子,而让第二连接端是可用做连接器之端子。31.如申请专利范围第28或30项之树脂密封式半导体装置,其中该连接器外壳朝向该模制部份所定之表面方向被弯曲一预定距离。32.一种树脂密封式半导装置,其包括连接于一电负载之许多第一连接端,连接于该电负载以外的设备之第二连接端,安装于一导电构件上且连接于该第一连接端和该第二连接端以控制该电负载的操作之单石IC,以及密封该单石IC和…单石IC的该第一和第二连接端,以使该第一和第二连接端藉此固定之绝缘树脂模制部分,所述树脂模制部分具有一体成形于其上之连接器外壳部份,让一体成形之方式是将树脂模制成使该第二连接端被包围起来。33.如申请专利范围第32项之树脂密封式半导体装置,其中该半导体装置为-IC调整器。34.如申请专利范围第32项之树脂密封式半导体装置,其中电负载是发电机。35.如申请专利范围第32项之树脂密封式半导体装置,其中该第一和第二连接端以及该导电构件系由相同材料制成。36.如申请专利范围第32项之树脂密封式半导体装置,其中该第一连接端,第二连接端及该导电构件均系从一电导性物质所制成的平板上藉冲孔方法来制成的。37.如申请专利范围第32项之树脂密封式半导体装置,其中该第二连接端之顶端位于围绕该端之该连接端外壳部份中之空穴内。38.如申请专利范围第32项之树脂密封式半导体装置,其中该连接器外壳朝向该模制部份之主要部分所定之表面方向被弯曲一预定距离。39.如申请专利范围第32项之树脂密封式半导体装置,其中该散热座以与第二连接端弯折方向相同的方向来固定在该模制部分的一个表面上。40.如申请专利范围第32项之树脂密封式半导体装置,其中该连接器外壳所包围的第二连接端中至少一个所连接的导电物质上至少有一缺口部分暴露在所述树脂模制部分的侧表面上。41.如申请专利范围第32项之树脂密封式半导体装置,其中与树脂模制部份上尚具有一贯穿之洞孔。42.如申请专利范围第32项之树脂密封式半导体装置,其中该第一和第二连接端连接的导电物质至少有一缺口部分暴露在贯穿洞孔的内表面上。43.一种制造脂模制IC调整器之方法,包括:形成一引线框,其中至少连接于一电负载之第一连接端和连接于该电负载以外的设备之第二连接端连接于其框部份,在一个由导电构件制成之板外,将控制该电负载操作之单石IC安装于一导电构件上且连接于该引线框,以具有绝缘特性之第一树脂密封安装于该导电构件上之单石IC以及至少一部份连接接于该单石IC之该第一和第二连接端端以形成第一模制部份,以使第一和第二连接端藉此固定,并使该框部份自该引线框分开且以外覆模制操作制造第二模制部份,而以具有绝缘特性之第二树脂覆盖至少一部份该第一模制部份和围绕该第二连接端,使得该第二连接端被安置在上述第二模制部份中的一个空穴内。44.如申请专利范围第43项之制造树脂模制IC调整器之方法,其中所述制造第二模制部份的步骤包含有下述步骤:形成一个与具有空穴的第二模制部份成一体模制的连接器部份,藉之而围绕第二连接端。45.如申请专利范围第43项之制造树脂模制IC调整器之方法,其中密封该第一树脂之步骤是在使框部份自该引线框分开之步骤前执行,而以该第二树脂制造该第二模制部份之步骤是在使该框部份自该引线框分开之步骤后执行。46.如申请专利范围第43项之制造树脂模制IC调整器之方法,其中以该第二树脂制造该第二模制部份之步骤是以外覆模制操作来模制树脂并以在围绕第二连接端之内的一部分来覆盖至少一部份该第一模制部份,且该步骤是用来密封至少一部份该第一连接端和第二连接端,并是在使该框部份自该引线框分开之前执行,而以该第一树脂密封该单石IC以形成该第一模制部分步骤是在使该框部份自该引线框分开之后执行。47.如申请专利范围第45项之制造树脂模制IC调整器之方法,其中该第一和该第二树脂是同类树脂。48.如申请专利范围第1项之制造树脂模制IC调整器之方法,其中该第一和该第二树脂是不同类树脂。49.如申请专利范围第45项之制造树脂模制IC调整器之方法,其中该第一和该第二树脂之艾式冲击强度或弯折强度不同。50.如申请专利范围第49项之制造树脂模制IC调整器之方法,其中该第二树脂之强度大于第一树脂之强度。51.如申请专利范围第48项之制造树脂模制IC调整器之方法,其中该第一树脂由热固树脂制成,而让第二树脂由热塑树脂制成。52.如申请专利范围第51项之制造树脂模制IC调整器之方法,其中该第一树脂经模制成使其至少覆盖一部份要由其固定之该第一树脂制成的该第一模制部份。53.一种制造树脂模制IC调整器之方法,包括,形成一引线框,其中至少连接于一电负载之第一连接端和连接于该电负载以外的设备之第二连接端连接于其框部份,在一个由导电构件制成之板外,将控制该电负载操作之单石IC安装于一导电构件上且连接于该引线框,以绝缘横脂密封整个该单石IC以及至少一部份该第一和第二连接端以使第一和第二连接端藉之固定,同时制造一模制部分,此模制部分具有一个连接器部分,该连接器部分内有有一空穴部分而围绕所述第二连接端,并与前述密封部份一体成型,以及该框部份自该引线框分开。54.如申请专利范围第53项之制造树脂模制IC调整器之方法,其中该第二连接端之顶端位于围绕该端之模制部份中。55.如申请专利范围第43或第53项之制造树脂模制IC调整器之方法,其中该引线框之结构使该第二连接端经由一连接部份连接于该引线框,该连接部份连接于该框与一部份该第二连接端(其顶端部份除外)之间,而密封操作或模制操作时则使该连接部份保持在该密封或模制部份之外,分开操作时则是将该连接部份分开。56.如申请专利范围第43或第53项之制造树脂模制IC调整器之方法,其中该引线框之结构使两最外端之该第二连接端经由一连接部份连接于该引线框,该连接部份连接于该框与一部份该第二连接端(其顶端部份除外)之间,而其他内部第二连接端经一中间连接部份连攘于一第一一连接端端,该间连接部份连接于一部份该第二连接端(其顶端部份除外),而密封操作或模制操作时使该连接部份保持在该密封或模制部分之外,分开操作时则是将该连接部份与该中间连接部份分开。57.如申请专利范围第46项之制造树脂模制IC调整器之方法,其中该密封或模制操作时是使该连接部份保持在该密封或模制部份之外,而该中间连接份在该密封或模制部份之洞孔内,而让分开操作将该连接部份与该洞孔内之该中间连接部份分开。图示简单说明:图一至3是实例1中制造之树脂密封式半导体装置之正面图,背面图和切面图;图4(a)是实例1中使用的引线框之正面图;图4(b)是安装有单石IC上的引线框之背面图;图5是实例1中模制有树脂密封式单石IC部份的引线框之平面图;图6和7是散热座(heat sink)之平面图和侧面图;图8和9是树脂密封式单石IC部份在切断框部后之正面图和背面图;图10和11是外连接端的尖端部之正面图和侧面图;图12是实例2中安装有单石IC的引线框之平面图;图13是实例2中模制有树脂单石IC部份的引线框之平面图;图14和15是实例3中安装有单石IC的引线框之背面图和侧面图;图16和17是实例4中树脂密封式半导体装置之正面图和背面图;图18是取图17中线B-B之切面图;图19是实例3中安装有单石IC的引线框之背面图;图20是模制有树脂密封式单石IC部份之正面图背面图;图21和22是从引线框之框部份分开的树脂密封式单石IC部份之正面图和背面图;图23和24是图21中所示树脂密封式单石IC部份之平面图和切面图,其中外连接端被弯曲;图25是实例5中使用的引线框之平面图;图26是实例5中使用的引线框之平面图,其上安装有单石IC;图27是图26中所示引线框之平面图,其上模制有树脂密封式单石IC之平面图;图28是散热座之平面图;图29是从引线框的框部份分开的树脂密封式单石部份之背面图;图30是图29中所示的树脂密封式单石IC之立体图,其中外连接端被弯曲;图31是实例5中IC调整器之立体图;图32是IC调整器安装在交流发电机上的结构之平面图;图33是有图IC调整器和交流发电机之电路;图34是实例5中使用的IC调整器之侧面图;图35(A)是实例6中树脂密封式半导体装置之平面图;图35(B)和(C)是实例6中使用的散热座之平面图和侧面图;图36是图6中使用的引线框之平面图;图37是具有模制在图孔所示引线框上之连接器外壳的树脂密封式半导体装置之平面图;图38是实例7中的树脂密封式半导体装置之平面图;图39是实例7中使用的引线框之平面图;图40是具有模制在引线框上之连接器外壳的树脂密封式半导体装置之平面图;以及图41是具有密封部之树脂密封式半导体装置的洞孔部份。 |
