| 摘要 |
Low-E-Schichtsystem auf einem transparenten Substrat (S0) mit folgenden transparenten Schichtenanordnungen, vom Substrat (S0) aufwärts betrachtet: – eine Grundschichtanordnung (GA) mit einer dielektrischen Grundschicht (GAG) aus einem Nitrid, Oxid oder Oxinitrid eines Metalls, eines Halbleiters oder einer Halbleiterlegierung, zur Verminderung der Diffusionsvorgänge aus dem Substrat (S0) in eine darüber angeordnete Funktionsschichtanordnung (UFA, MFA, OFA), – eine untere Funktionsschichtanordnung (UFA) mit einer metallischen Funktionsschicht (UFAF) zur Reflexion von Infrarotstrahlung und mit zumindest einer Blockerschicht (UFAB) aus einem Metall, einer Metallmischung oder Metalllegierung oder aus einem unterstöchiometrischen oder stöchiometrischen Oxid, Nitrid oder Oxinitrid davon, zum Schutz der Funktionsschicht (UFAF) gegenüber Oxidations- und Diffusionsprozessen, – zumindest eine Zwischenschichtanordnung (ZA), welche eine weitere Funktionsschichtanordnung (MFA, OFA) von einer darunter liegenden Funktionsschichtanordnung (UFA, MFA) trennt und eine oder mehrere Zwischenschichten (ZAZ) und eine Keimschicht (ZAK) umfasst, – zumindest eine weitere, über der unteren Funktionsschichtanordnung (UFA) liegende Funktionsschichtanordnung (MFA, OFA) mit einer metallischen Funktionsschicht (MFAF, OFAF) zur Reflexion von Infrarotstrahlung, mit zumindest einer Blockerschicht (MFAB, OFAB) aus einem Metall, einer Metallmischung oder Metalllegierung oder aus einem unterstöchiometrischen oder stöchiometrischen Oxid, Nitrid oder Oxinitrid davon, zum Schutz der weiteren Funktionsschicht (MFAF, OFAF) gegenüber Oxidations- und Diffusionsprozessen, und – eine Deckschichtanordnung (DA) mit einer dielektrischen, ein Nitrid, Oxid oder Oxinitrid eines Metalls, eines Halbleiters oder einer Halbleiterlegierung enthaltenden Deckschicht (DA1, DA2), – wobei zumindest eine Zwischenschichtanordnung (ZA), welche eine weitere Funktionsschichtanordnung (MFA, OFA) von einer darunter liegenden Funktionsschichtanordnung (UFA, MFA) trennt und eine oder mehrere Zwischenschichten (ZAZ) und eine Keimschicht (ZAK) umfasst, eine solche Dicke aufweist, dass zumindest bei einem Betrachtungswinkel im Bereich von 0 bis ±75°, bezogen auf die Normale der Substratoberfläche, die a*(Rg)- und b*(Rg)-Farbwerte des CIE L*a*b*-Farbsystem der substratseitigen Reflexion im Bereich von ≤ 0 liegen. |
