FIELD EFFECT TRANSISTOR

摘要

Le transistor à effet de champ comporte différents niveaux constitués par une surface principale supérieure (35a), une surface de paroi (35b) et une surface principale inférieure (35c) disposées sur la couche de base (33). Un film isolant de porte (39) et une électrode de porte (41) sont formés verticalement dans cet ordre sur la surface de paroi (35a). Le film (39) et l'électrode (41) s'étendent entre les surfaces principales supérieure et inférieure (35a, 35c). Les deux côtés du film (39) et de l'électrode (41) forment des régions de diffusion des impuretés constituant des régions source/drain (43, 45). Etant donné que l'électrode de porte (41), dont la largeur de porte doit être plutôt grande, est perpendiculaire à la couche de base (33), une intégration à plus grande échelle peut être obtenue.