| 摘要 |
La puce de circuit intégré décrite, qui est pourvue d'organes empêchant ou réduisant les dommages dus aux décharges électrostatiques, utilise un revêtement diélectrique épais (20, 26) en oxyde isolant placé entre la surface du substrat de la puce et le film de métallisation (22) utilisé pour établir un contact avec des régions du substrat (10). Au moins une partie de cette couche (26) est formée à des températures inférieures à 700°C. Le revêtement (20, 26) est suffisamment épais partout, de sorte que sa tension de rupture est supérieure à la tension de rupture de n'importe quelle jonction (14) présente dans le substrat (10), ce qui est une assurance que les ruptures causées par des décharges électrostatiques se produisent toujours dans la jonction (14), qui se répare d'elle même, plutôt que dans le revêtement diélectrique (20, 26), où le dommage pourrait être permanent. |
