发明名称 假单胞菌属细菌之培养方法
摘要 本发明是有关以高产率制得具有高度水解活性的假单胞菌属之细菌细胞,其中系藉剪力培养可产生水解之假单胞菌,而于制备具水解活性之细胞培养基中加入水溶性铜化合物而成。
申请公布号 TW155174 申请公布日期 1991.04.01
申请号 TW078109848 申请日期 1989.12.19
申请人 日东化学工业股份有限公司 发明人 清水仁;须藤胜;龙野孝一郎;藤本隆则;关进
分类号 C12N1/20 主分类号 C12N1/20
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1﹒一种培养假单胞菌属细菌属细菌的方法,其包括将水溶性铜化合物加至裂备具水解活性之细胞培养基中,其中系藉剪力培养可产生水解之假单胞菌。2﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中的水溶性铜化合物是选自下列包括:氯化铜、硫酸铜、硝酸铜、醋酸铜、酒石酸铜、乙醯内酮酸(1r)及乙底酸铜(11)3﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中水溶性铜化合物添加至培养基中之剂量约0﹒5至5%毫克/升,最好约1至3毫克/升,此系基铜而计算。
地址 日本