| 发明名称 |
FORMATION OF PROTECTIVE FILM FOR GAAS SEMICONDUCTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH03126698(A) |
申请公布日期 |
1991.05.29 |
| 申请号 |
JP19890262977 |
申请日期 |
1989.10.11 |
| 申请人 |
HITACHI ELECTRON ENG CO LTD |
发明人 |
OYAMA KATSUMI |
| 分类号 |
C30B29/42;C23C16/34;C30B33/00;C30B33/02;H01L21/318 |
主分类号 |
C30B29/42 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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