发明名称 改变全息像之波长反应用的乾膜方法
摘要 体积全息像之波长反应,经由与一种乾膜扩散元件相接触予以改变。
申请公布号 TW159259 申请公布日期 1991.06.01
申请号 TW079104638 申请日期 1990.06.06
申请人 杜邦公司 发明人 多伦斯.约翰.崔特;克利斯那.千君.多司维明;威廉.卡尔.施摩思;马克.礼门.阿姆斯壮
分类号 G03H1/00 主分类号 G03H1/00
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1﹒一种用以在实质上固态,透明,感光膜元件内形成体积相全息像的方法,其依序包括下列步骤:(a)全息式曝露该薄膜元件在相干光下,以记录体积全息像在该元件以内;及(b)使该薄膜元件与一种扩散元件相接触历一段时间足以变更通过全息像之光反应的波长。2﹒根据申请专利范围第1项所述之方法,其中,光敏薄膜元件是一种光聚合物。3﹒根据申请专利范围第2项所述之方法,其中,扩散元件含有一种单体,一种塑化剂或其混合物,它扩散入薄膜中以增加经由反射全息像所反射之光的波长。4﹒根据申请专利范围第3项所述之方法,其包括:聚合:已扩散入薄膜元件中之单体的步骤。5﹒根据申请专利范围第4项所述之方法,其中,经扩散之单体系由加热薄膜予以聚合6﹒根据申请专利范围第4项所述之方法,其中,经扩散之单体系由曝光于紫外光下予以聚合。7﹒根据申请专利范围第1项所述之方法,其中,非挥发性组份,自光敏薄膜扩散入扩散元件中。8﹒根据申请专利范围第1项所述之方法,其中,将扩散元件层合至光敏薄膜上。9﹒根据申请专利范围第8项所述之方法,其中,层合是永久性。10﹒根据申请专利范围第8项所述之方法,其中,扩散元件系在已获得所需要之波长反射之移位后,自光敏薄膜上移去。11﹒根据申请专利范围第1项所述之方法,其中,光敏薄膜和扩散元件,系乘其相接触时予以加热,以增加扩散速率。12﹒一种用以在实质上固态、透明、光可聚合薄膜元件内形成体积全息像的方法,其依序包括下列步骤:(a)全息式曝露该薄膜元件于相干光下,以记录全息像在该元件以内,该薄膜元件,主要系由下列(1)至(4)项所组成(1)大概25至90%的由下列各化合物所组成之该口中所选出之一种聚合黏合剂:聚乙酸乙烯酯,聚乙烯醇缩丁醛,聚酸乙烯酯,聚乙烯甲醛,含有其主要链段之共聚物,及其混合物;(2)大概5至60%之由下列各化合物所组成之该团中所选出烯属不饱和单体:含有单体之唑,含有一个或多个苯基,联苯基,苯氧基,基,氧基之液态单体,含有至多3个芳香环之杂芳香基团,氯和溴者;(3)大概0至25光之一极塑化剂;及(4)大概0﹒1至10%之经由光化辐射可活化之光引发剂系统其中,各百分数是基于总薄膜重量之重量百分数,及(b)使光学元件与一种扩散元件相接触历一段时间足以变更经由反射全息像所反射之光的波长。13﹒根据申请专利范围第12项所述之方法,其中,扩散元件含有一种单体,一种塑化剂或其混合物,它扩散入薄膜元件中,以增加经由全息像所反射之光的波长。14﹒根据申请专利范围第13项所述之方法,其中,扩散入光学元件中之物料具有相似于薄膜元件的一种组份者之折射率。15﹒根据申请专利范围第13项所述之方法,其中,扩散入光学元件中之物料是一种单体或薄膜元件之塑化剂组份。16﹒根据申请专利范围第13项所述之方法,其包括:聚合已扩散入薄膜元件中之单体的步骤。17﹒根据申请专利范围第14项所述之方法,其中,经扩散之单体系由加热薄膜元件予以聚合。18﹒根据申请专利范围第14项所述之方法,其中,经扩散之单体系由曝光于紫外光下予以聚合。19﹒根据申请专利范围第13项所述之方法,其中,光学元件和薄膜元件,系乘其相接触时予以加热,以增加扩散速率。20﹒根据申请专利范围第12项所述之方法,其中,非挥发性塑化剂,自簿膜元件扩散入扩散元件中。21﹒根据申请专利范围第20项所述之方法,其中,薄膜元件与扩散元件,系乘其相接触时予以加热,以增加扩散速度。22﹒根据申请专利范围第12项所述之方法,其中,将扩散元件覆盖在薄膜元件上。23﹒根据申请专利范围第12项所述之方法,其中,扩散元件是薄膜,并被层含在薄膜元件上。23﹒根据申请专利范围第23项所述之方法,其中,层合是永久性。25﹒根据申请专利范围第22或24项之方法,其中,扩散元件的主要组份是薄膜元件的黏合剂组份。26﹒根据申请专利范围第22或24述之方法,其中,扩散元件系在已获得所需要之波长反射之移位后,自薄膜元件上移去。图示简单说明图1举例说明:形成反射全息像的离轴方法。
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