| 主权项 |
1﹒一种制造双接枝共聚物之双接枝聚合反应方法,包含a)一基材聚合物上与一欲被接枝之第一种单体进行第一段接枝聚合反应,而获得一含有侧链羧酸基之第一段接枝聚合物,其中该基材聚合物为由加成聚合反应所得碳氢化物聚合体或共聚合体,并且该聚合体或共聚合体为在高能辐射后不致严重分解者,该第一种单体为含有羧酸或羧酸酯官能基之不饱和碳氢化合物,该第一段接枝聚合反应系以辐射照射法进行;b)将上述第一段接枝棸合物所含之羧酸基于一氧化剂及酸催化剂下氧化成过氧羧基后,与c)一乙烯类第二种单体接触,并藉上述过氧羧基之分解所产生的自由基引发上述乙烯类第二种单体接枝聚合于上述第一段接枝聚合物上之第二段接枝聚合反应,而获得上述之双接枝共聚物产物。2﹒如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一种单体为含有羧酸官能基之不饱和碳氢化合物单体。3﹒如申请专利范围第2项所述之方法,其中该含有羧酸官能基之不饱和碳氢化合物系由下列族群所选出,该族群系由丙烯酸、甲基丙烯酸、乙基丙烯酸、丁烯酸、丙炔酸、苯乙烯羧酸、顺丁烯二酐、顺丁烯二酸及反丁烯二酸单体所组成。4﹒如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一种单体为含有羧酸酯官能基之不饱和碳氢化合物,并且于上述第一段接枝聚合反应后,上述之羧酸酯官能基进一步被水解生成羧酸官能基。5﹒如申请专利范围第4项所述之方法,其中该含有羧酸酯官能基之不饱和碳氢化合物系由上述第3项单体之酯类所形成之族群所选出者。6﹒如申请专利范围第1项所述之方法,其中该辐射照射法为以钴六十照射之辐射预照射法。7﹒如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氧化剂为过氧化氢。8﹒如申请专利范围第1项所述之方法,其中该酸催化剂系由硫酸、对甲苯磺酸及甲烷磺酸所组成之族群中所选出。9﹒如申请专利范围第7项所述之方法,其中该酸催化剂系由硫酸、对甲苯磺酸及甲烷磺酸所组成之族群中所选出。10﹒如申请专利范围第9项所述之方法,其中该氧化反应系在一反应温度介于5℃─100℃间进行一段时间介于5分钟至大约5小时。11﹒如申请专利范围第1项所述之方法,其中乙烯类单体系由下列族群所选出,该族群系由苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯、醋酸乙烯、2一羟乙基甲基丙烯酸酯、乙烯啶及乙烯咯酮。12﹒如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基材聚合物为聚乙烯,聚氯乙烯或乙烯一醋酸乙烯共聚物。13﹒如申请专利范围第12项所述之方法,其中该基材聚合物为薄膜状、粉状、粒状或管状。 |
