| 摘要 |
본 발명은, 플라즈마에 의해 발생하는 웨이퍼 표면 전위를 플라즈마 방전중에 없애고, 웨이퍼로의 이물 부착을 저감할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 본 발명은, 플라즈마 처리실과 상기 플라즈마를 생성하기 위한 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원과 상기 시료를 정전 흡착시키기 위한 전극을 구비하여 상기 시료가 재치되는 시료대와 상기 전극에 직류 전압을 인가하는 직류 전원과 상기 플라즈마의 방전중, 미리 설정된 상기 직류 전압을 부의 방향으로 제 1 시프트량만큼 시프트시키고, 상기 플라즈마의 방전 종료 후, 상기 부의 방향으로 제 1 시프트량만큼 시프트된 상기 직류 전압을 정의 방향으로 제 2 시프트량만큼 시프트시키는 제어 장치를 구비하고, 상기 제 1 시프트량은, 상기 직류 전압을 정의 방향으로 시프트시켰을 때의 상기 시료의 표면의 전위를 0V로 하는 값이며, 상기 제 2 시프트량은, 상기 플라즈마에 의한 부유 전위에 근거하여 구해진 값인 플라즈마 처리 장치이다. |
