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发明名称 SUBSTRATE HAVING SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR STRUCTURE WITH GETTERING SITES AND PRODUCTION METHOD THEREOF
摘要
申请公布号 US5063113(A) 申请公布日期 1991.11.05
申请号 US19890382937 申请日期 1989.07.21
申请人 FUJITSU LIMITED 发明人 WADA, KUNIHIKO
分类号 H01L21/762;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/322;H01L27/12;H01L29/167;H01L29/207 主分类号 H01L21/762
代理机构 代理人
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