碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅半导体装置

摘要

本发明提供抑制制造工序数的增加、且能够抑制合金层对于半导体基板的欧姆特性的劣化的碳化硅半导体的制造方法。形成为碳化硅半导体装置的制造方法，其具备：在由碳化硅构成的半导体基板11上形成由第一金属构成的金属层30的工序；在金属层30上形成将第二金属氮化了的金属氮化膜40的工序；经由金属氮化膜40来照射激光、形成半导体基板11的碳化硅与金属层30的第一金属的合金层31的工序；和在金属氮化膜40上形成电极20的工序。

主权项

一种碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：在由碳化硅构成的半导体基板上形成由第一金属构成的金属层的工序；在所述金属层上形成将第二金属氮化了的金属氮化膜的工序；经由所述金属氮化膜来照射激光、形成所述半导体基板的碳化硅与所述金属层的所述第一金属的合金层的工序；和在所述金属氮化膜上形成电极的工序。