半导体器件的高氧含量硅单晶基片制法

摘要

硅基片的生产方法，包括在较高生产速度下生长硅单硅体。已经发现，硅晶体的生长速度对硅晶体或硅基片中晶体缺陷的产生有很大的影响。此外，硅晶体或硅基片中的氧含量明显地高于普通的硅晶体或硅基片中的氧含量。硅晶体的高生长速度抑制氧从晶体中离析，可减少半导体器件在热处理期间，晶体产生缺陷或层错的数目。在按照本发明的较佳方法中，硅晶体的生长速度≥1.2毫米/分。而所生长硅晶体中的最佳氧含量则选取≥1.8×1018/厘米3。

主权项

1.一种制备高氧含量硅基片的生产方法，包括提拉法生长硅单晶，硅单晶切片抛磨及热处理，其中，生长时的步骤包括将硅装入坩埚后加热，采用上端渐缩的加热器，加热器渐缩部分横截面积小于其它部分，从而使硅表面供给的热量多于熔硅的其余部分，还包括进一步使坩埚转动的措施，转速可控制；以便调节硅晶体中的氧含量，以约1.5-2.1毫米/分的高拉速生长，使硅基片的氧含量大于或等于1.8×1018个/厘米3。