发明名称 |
METHOD FOR REMOVING AN ION-IMPLANTED ORGANIC RESIN LAYER DURING FABRICATION OF SEMEICONDUCTOR DEVICES |
摘要 |
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申请公布号 |
KR920003310(B1) |
申请公布日期 |
1992.04.27 |
申请号 |
KR19880013427 |
申请日期 |
1988.10.14 |
申请人 |
FUJITSU CO., LTD. |
发明人 |
FUJIMURA, SHUJO;KONO, JOONICHI |
分类号 |
H01L21/266;G03F7/42;H01L21/027;H01L21/30;H01L21/302;H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3115;(IPC1-7):H01L21/265 |
主分类号 |
H01L21/266 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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