| 主权项 |
1.一种磁头组合体包含:磁性材料之支承基体;安置邻接该基体空气轴承表面软磁性材料之第一薄瞑层;构成绝缘层遮覆该第一薄膜层与基体之磁间隙;置于该磁间隙层之填体线圈;软磁性材料之第二薄膜层,系与导体线圈绝缘并于其后间隙连接至基体而构成磁头组合体之第二极部;遮覆该第二极部之绝缘材料之均匀层;以及粘合至该均匀绝缘层之非磁性陶瓷之挡隔部件;该第一薄膜层与支净基体构成磁头组合体之第一极部,该第一与第二薄膜层具有约等管于磁资料所需轨道之长度以及该第一簿膜层具有少于自空气轴承表面至导体线圈之第一线圈之距离。2.根据申请专利范围第1项之磁头组合体,其中该基体与第一薄膜层以及第二薄膜层横成写入转换器之第一与第二极部之及另外包含构成于该写入转换器之读出转换器3.根据申请专利范围第2项之磁头组合体,包含构成一单模之若干交互写入与读出之转换器。4.根据申请专利范围第2项之磁头组合体,其中读出转换器为一磁致电阻性元件。5.根据申请专利范围第3项之磁颈组合体,包含第二单模(与第一单模)粘合于一起以使一单模之写入转换器相对第二举模之读出转换器以构成交错之磁头。6.根据申请专利范围第1项之磁头组合体,其中该第一簿膜层具有约为2敞米之宽度。7.根据申请专利范围第6项之磁头组合体,其中该第一薄膜层具有钧5000A(Angstrom埃,长度单位=10n米)之宽度。8.根据申请专利范围第6项之磁头组合体,其中该第一簿膜层与填体线圈间之距离钧为2微米。9.根据申请专利范围第1项之磁头组合体,另外包含一底漆层于基体及第一薄膜层之间。10.一种磁头组合体包含:铁氧体磁性材料部件之第一极部与软磁性材料之第一薄膜层构成于铁氧体磁性材料;磁性绝缘材料之磁间隙;遮覆磁性绝缘材料之软磁性材料第二薄膜层之第二极部及具有磁力相互作用于空气轴承表面之磁间隙以及连接至第一极部于间险;围绕后间隙而构成之导体线圈及以磁性而活化第一与第二极部;以及一非磁性陶瓷材料之部件安置于邻接该第二极部。11.根据申请专利范围第10项之磁头组合体,包含构成一单模之若干交互写入与读出转换器。12.根据申请专利范围第10项之磁头组合体,其中读出转换器为一磁致电阻性元件。13.根据申请专利范围第11项之磁头组合体,包含第二单模(与第一单模)粘合于一起以使第一单模之写入转换器相对第二单模之读出转换器以构成交错之磁头。14.根据申请专利范围第10项之磁头组合体,其中该第一薄膜层具有约为2微米之宽度。15.根据申请专利范围第14项之磁头组合体,其中该第一薄膜具有约5000A(埃)之厚度。16.根据申请专利范围第15项之磁头组合体,其中第一薄膜层与导体线圈间之距离约为2微米。17.根据申请专利范围第10项之磁头组合体,另外包含一底漆层于基体及第一薄膜层之间。18.根据申请专利范围第10项之磁头组合体,其中该第一与第二极部构成写入转换器,以及另外包含读出转换器构成于邻接写入转换器。19.一种交错磁头包含:第一毓第二单模粘合于一起,各单模具有若干交亘之读出与写入转换器构成于其上,以第一单模之各读出与写入转换器分则相对第三单模之写入与读出转换器,各该写入转换器包含;铁氧体磁性材料苔g件之第一极菩g以软磁性材料之第一薄膜层沉积于铁氧体磁性材料;磁性绝缘材料之磁间隙;遮覆磁性绝缘材料之软机性材料之第二薄膜层之第二极部及具有磁力相互作用于空气轴承表面之磁间隙以及连接至第一极部于后间隙;围绕后间隙而构成之导体线圈及以磁性而活化第一与第二极部;非磁性材料之均匀层遮覆第二极部;以及非磁性陶瓷材料之部段遮覆该均匀层。20.根据申请专利范围第19项之磁头组合体,其中各读出转换器为一磁致电阻元件。21.根据申请专利范围第19项之磁头组合体,其中该第一薄膜层具有约2微米之宽度22.根据申请专利范围第21项之磁头组合体,其中该第一薄膜层具有约5000A(埃)之厚度。23.根据申请专利范围第21项之磁头组合体,其中该第一薄膜层与导体线圈间之距离约为2微米。24.根据申请专利范围第19项之磁头组合体,另外包含一底漆层于基体及第一薄膜层之间。25.一种磁颔包含:磁基体;第一磁尖之构成层沉积于盖体之边缘为一条片宽度;磁间隙层;第二薄膜极部;藉间隙层而与第一极部绝缘及藉绝缘材料而与第二极部绝缘之导体层;以及非磁性陶瓷之挡隔部件安置于邻接该第二极部。26.根据申请专利范围第25项之磁头组合体,其中该第一磁尖构成层具有约2微米之宽度。27.根据申请专利范围第25项之磁头组合体,其中该第一磁尖构成层具有约5000A(埃)之厚度。28.根据申请专利范围第26项之磁头组合体,其中该第一磁尖构成层与导体线圈间之距离约为2微米。29.根据申请专利范围第25项之磁头组合体,另外包含一底漆层于基体及第一磁尖构成层之间。30.根据申请专利范围第25项之磁头组合体,其中非磁性层包含非磁性材料之磁尖保护层构成于第二极部之龊尖端部,以及一均匀层遮覆该磁尖保护层与第二极部。31.一种制造磁头之方法包含下列步骤:获得磁铁氧体之基体;沉积一条片之磁性材料邻接所获得基体之边缘;沉积间隘产生绝缘材料于已沆积之条片与基体之上以构成磁间隙层。沉积电导性材料于已沉积之绝缘材料以构成磁头之导体匝数,第一匝系如由间隙绝缘材料所遮覆者而聚邻接条片开始;沉积绝缘材料于已沉积导体材料之上而构成瓒体匝数;沉积磁性材料于已沉积之间麒产生绝缘材料与导体绝缘材料之上以构成第二极部;沉积支承绝缘层材料于已沉积磁性材料邻接磁尖端部之上;沉积绝缘材料之均匀层于已沉积支承绝缘层以汲已沉积第二极部材料之遗留部分之上;以及枯合非磁性陶磁之挡隔部件至已沉积之均匀层。32.根据申请专利范围第31项之方法,系在获得基体之步骤后,另外包含沉积铝之底层之步骤。33.根据申请专利范围第31项之方法,其中沉积一条片磁性材料之步骤系沉积具有约2微米宽度舆约5000A(埃)厚度之条片。 |
