| 主权项 |
1.一种于真空处理室内进行之偏压溅射涂覆过程中改进基质上离子通量分布之均匀性的方法,其中靶维持于阴极电位,阳极至少部分位于靶之外边缘之外,并维持于阳极电位,且基质面对该靶,并维持于偏压电位,此方法包含下列步骤:在该靶与基质间设一电极,并远离靶之边缘处;将该电极维持于一电位,此电位不受阴极和靶电位之影响;及调整该电极之电位,以改进到达该基质上之离子通量分布均匀性。2.根据申请专利范围第1项之方法,此方法更含以下之步骤:测量基质的离子通量分布;及选择调整过的电极电位,以改进测得之离子通量分布之均匀性。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中:该电极系设在大致位于一条与该靶中心垂直的线上。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中:该电极系在设在靠近该靶之表面的位置。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中该处理参数有改变,更包含以下步骤:随参数之改变,重调该电极之电位,以改进基质上离子通量分布之均匀性。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中诸制程参数在整个靶的使用期间有变化,更包含以下步骤:于溅射涂覆过程中使用该靶后,进行该电极电位之重调步骤。7.根据申请专利范围第1项之方法,其中在该靶表面上维持一磁场以捕捉电子,并在将发生溅射之靶表面之区域上方维持一电浆,该磁场使得基质上离子通量分布不均匀,且其中:该电极之电位经予调整,以补偿由该磁场所引起的分布不均匀性。8.根据申请专利范围第1项之方法,其中:该电极相对于阳极电位而言系维特在不超过20伏特之负电位。9.一种于真空处理室内进行之偏压溅射涂覆过程中将基质溅射涂覆之方法,其中该靶系维持于阴极电位,阳极至少部分位于该靶之外边缘之外,并维持于阳极电位,而基质系面对该靶,并维持于偏压电位,此电位相对于阳极电位而言为负,以使离子通量,于涂覆处理时,撞击该基质上,此方法包含以下步骤:在该靶与该基质间,并远离该靶边缘处,设一电极;维持该电极于一电位,该电位对阳极电位而言为负,对该靶电俊和偏压电位而言为正,因而使基质上离子通量分布之均匀性得到改进。10.根据申请专利范围第9项之方法,其中:该电极维持于一电位,在此电位时,基质上离子通量分布之匀均性,较电极维持于阳极电位时更均匀。11.根据申请专利范围第9项之方法,此方法更包含下列步骤:调整该电极之电位,以改进到达基质上之离子通量分布之均匀性。12.根据申请专利范围第9项之方法,其中该靶为环形,且该靶上发生溅射之区域为环形,并与该靶同心,其中:该电极系设在一大致与该靶同心之位置。13.根据申请专利范围第9项之方法,其中:该电极系设在靠近该靶表面处。14.根据申请专利范围第9项之方法,其中该磁场系维持于该靶表面上,俾于该处捕捉电子,并在该靶表面之区域上方支持电浆,该磁场使得基质上离子通量分布不均匀,且其中:该电极之电位系经选定,以补偿离子分布之不均匀性。15.根据申请专利范围第9项之方法,其中于一单片靶上维持不同之靶区域,每一区域均有一磁场,选择性地维持于其上,俾于该处捕捉电子,并在该靶表面之区域上方支持电浆,使得当磁场维持于其上时,从此区域产生溅射,其中:该电极之电位,系根据该等磁场的选择性维持而改变。16.根据申请专利范围第15项之方法,其中磁场经予转换,以在不同之靶区域上方交替保持磁场,其中:该电极之电位交替变换以与各磁场之交替作选择性之维持同步。17.根据申请专利范围第16项之方法,其中该靶为环形,并与靶之中央同心,其中:该电极系设在一大致位于一条垂直于该靶之中心的线上。18.根据申请专利范围第9项之方法,其中:该电极系维持于一负电位,对于阳极电位而言,该电位不超过20伏特之负电位。19.一种制造涂覆基质之溅射涂覆方法,此方法包含以下步骤:于一真空处理室内进行之偏压溅射涂覆过程中将一基质溅射涂覆,其中靶系维持于阴极电位,阳极至少部分位于该靶的外边缘之外,并维持于阳极电位,而该基质系面对该靶,并维持于一偏压电位,此电位相对于阳极电位而言为负,俾于涂覆过程进行期间,使离子通量撞击于该基质上;在该靶与该基质之间,并远离靶之边缘,设一电极;维持该电极于一电位,此电位相对于阳极电位为负,相对于靶电故和偏压电位为正,因而使基质上离子通量分布之均匀性得以改进。20.根据申请专利范围第19项之方法,其中:电极系维持于一电位,在此电位时,基质上离子通量分布之均匀性,较电极维持于阳极电位时更均匀。21.根据申请专利范围第19项之方法,此方法更包含以下步骤:调整该电极之电位,以改进该基质上离子通量分布之均匀性。22.根据申请专利范围第9项之方法,其中该靶为环形,且靶上发生溅射之区域为环形,并与靶同心,其中该电极设 |
