| 主权项 |
1.一种位址比较电路,系供比较第一个位址暂存器和第二个位址管存器对应位元位置内容者,包含:装置,提供该第一和第二个暂存器位元位置上的真値和补数;第一个元素(T10,T11)和第二个元素(T12,T13),系对应于该位元位置,该第一和第二个元素各有二个电晶体,其源极和泄极连接并与第一个结点(N1)和第二个结点(N2)串接,其闸极接收该暂存器位元値,当该管存器相关位置内容不符,使该元素的二个电晶体皆导通,从而当任何该位元位置内容不符时,该二结点之间电压大约相同,当该各位元位置内容相符时,该二结点独立无关;输出电路装置(16),由该二结点之间电位差控制,产生一个置出电压,代表该比较内容相符或不符;充电装置(12,14)连接该二个结点于电源端(Vcc)和接地端之间,当比较内容相符时,将该二结点的电容充电至预定値,并使该输出电路装置动作。2.如申请专利范围第1项之位址比较电路,其中该闩锁装置包含:第一个电晶体(T3)和第二个电晶体(T6),属于不同通道型态者;该第一个电晶体的泄极和源极分别与电源端(Vcc)和该第一个结点连接,其闸极与该第二个结点连接,并依该第二个结点电位决定是否接通,该第二个电晶体的泄极和源极分别与该第二结点和地连接,其闸极与该第一个结点连接,并依该第一个结点电位决定是否接通。3.如申请专利范围第2项之位址比较电路,其中该置出电路装置包含:一个金氧半反相器级(16),具有第三个电晶体,其通道型态与该第一个电晶体(T3)相同,以及第四个电晶体,其通道型态与该第二个电晶体(T6)相同,该第三个电晶体的源极经该第一个电晶体接至电源端,且该第四个电晶体的源极接地,该第三和第四个电晶体泄极共接,作为该比较电路的输出,其闸极共接至该第二个结点,由该第二个结点电压控制该反相器级的交换。4.如申请专利范围第3项之依址比较电路,其中该第三个电晶体(T8)的源极与该第一个结点连接。5.如申请专利范围第4项之位址比较电路,其中该充电装置(12,14)包含:第五个电晶体(T7),其通道型态与该第二个电晶体相同,其泄极和源极分别接地以及与该第二个电晶体源极连接,其闸极与该第二个电晶体闸极连接,从而该第二第五个电晶体由该第一个结点电依控制一起导通,该第一、第二和第五个电晶体尺寸相当,从而当比较内容不相符时形成一个分压器,使该第一和第二结点间电压大约为电源电压的一半。6.如申请专利范围第5项之位址比较电路,其中该充电装置包括第六个电晶体(T5),其与该第二个电晶体连接成闩锁装置。7.如申请专利范围第6项之位址比较电路,其中该第六个电晶体(T5)当该第一和第二个结点之间电压大约相同即内容不符时会导通,且该第六个电晶体尺寸较该第二个电晶体为小,以避免干扰该第二个电晶体的导通。8.如申请专利范围第7项之位址比较电路,其中该第六个电晶体(T5)的闸极接至该第二结点,其泄极接至该第一结点,其源极接至该第二个电晶体(T6)源栖和该第五个电晶体(T7)泄极的共接点。9.如申请专利范围第8项之位址比较电路,其中该充电装置包含:第七个电体体(T4),其通道型态与该第一个电晶体(T3)相同,并与之连接成闩锁装置,该第七个电晶体尺寸充分小于该第一个电晶体,不会干挺该第一个电晶体的导通。10.如申请专利范围第9项之位址比较电路,其中该第七个电晶体(T4)的闸极接至该第一个结点,其泄极接至该第二个结点,又其中该充电装置包括一个降压装置(T1),连接该第七个电晶体的源极至电源端,从而该第二结点的电压不会较该第一结点上升更接近电源电压。11.如申请专利范围第10项之依址比较电路,其中该第一个电晶体(T3)的寸大于该第七个电晶体,以避免该第七个电晶体干扰该第一个电晶体的导通。12.如申请专利范围第11项之位址比较电路,其中该充电装置包括第一个装置,连接该第一个结点和电源端,当该比较电路一加上电源时,将该第一个结点充电至预定起始状态。13.如申请专利范围第12项之位址比较电路,其中该充电装置之该第一个装置包含:第八个电晶体(T2),其通道型态与该第一个电晶体(T3)相同,其源极接至电源端,其闸极接地,其泄极接该第一个结点,该第八个电晶体尺寸接该第一个电晶体充分小,以避免干扰该第一个电晶体的导通。14.如申请专利范围第13项之位址比较电路,其中该第一个位址暂存器存放选定字线的记偌器位址,该第二个位址 |
