发明名称 |
一种侧壁粗化高亮度发光二极管 |
摘要 |
本实用新型公开了一种侧壁粗化高亮度发光二极管,包括砷化镓永久衬底,在砷化镓永久衬底的上面依次设置有缓冲层、发光层、窗口层和第一电极,缓冲层为n型砷化镓,发光层包括AlAs/AlGaAs反射层、N‑AlGaInP下限制层、AlGaInP有源层、P‑AlGaInP上限制层、P‑GaInP缓冲层和P‑GaP粗化层,P‑GaP粗化层包含P‑GaP正面粗化层和P‑GaP侧壁粗化层两部分,在P‑GaP正面粗化层上设置第一电极,P‑GaP侧壁粗化层呈V型槽结构,窗口层为SiN光学薄膜,在砷化镓永久衬底的下面设有第二电极。粗糙化表面经过钝化膜SiN的包覆,不仅可以缩小发光层同封装材料间的折射率差,有助于光的取出,而且可以保护发光区减少漏电异常,提升产品可靠性。 |
申请公布号 |
CN205790048U |
申请公布日期 |
2016.12.07 |
申请号 |
CN201620574883.1 |
申请日期 |
2016.06.13 |
申请人 |
南昌凯迅光电有限公司 |
发明人 |
张银桥;潘彬 |
分类号 |
H01L33/22(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/22(2010.01)I |
代理机构 |
江西省专利事务所 36100 |
代理人 |
张静;张文 |
主权项 |
一种侧壁粗化高亮度发光二极管,包括砷化镓永久衬底,在砷化镓永久衬底的上面依次设置有缓冲层、发光层、窗口层和第一电极,缓冲层为n型砷化镓,发光层包括AlAs/AlGaAs反射层、N‑AlGaInP下限制层、AlGaInP有源层、P‑AlGaInP上限制层、P‑GaInP缓冲层和P‑GaP粗化层,窗口层为SiN光学薄膜,在砷化镓永久衬底的下面设有第二电极,其特征在于:P‑GaP粗化层包含P‑GaP正面粗化层和P‑GaP侧壁粗化层两部分,在P‑GaP正面粗化层上设有第一电极,P‑GaP侧壁粗化层呈V型槽结构,P‑GaP粗化层的总厚度在7000~10000nm。 |
地址 |
330038 江西省南昌市红谷滩新区怡园路999号联泰香域中央西区3-1-1102 |