| 主权项 |
1.一种氮化矽烧结体之工具,系由含有氮化矽及包 含至少 一种选自 MgO、Y2O3.A12O3.ZrO2.AIN,CaO、CeO及 SiO2成份之烧结助剂之氮化矽烧结体所形成,且至 少做为 工具操作之部分系经常压烧结,此氮化矽烧结体中 作为工 具操作部位处之至少一部分系经烧结,表面上自由 成长之 至少-Si3N4或'-SIALON业经除去,而该经烧结表面 具有之10点平均表面粗糙度Rz不超过3 m。2.如申请 专利范围第1项氮化矽烧结体之工具,其中该在 烧结表面上自由成长之-Si3N4(包含'-SIALON)系利 用喷气、桶滚或超音波振动处理来去除。3.如申 请专利范围第1项之氮化矽烧结体之工具,其中该 氮化矽烧结体系含有1-20wt%之至少一种之MgO、Y2O3. A12O3.ZrO2.AIN、CaO、CeO2及SrO2成份以作为烧结助 剂。4.如申请专利范围第3项之氮化矽烧结体之工 具,其中该 氮化矽烧结体复包括1-30wt%至少一种选自Ti之碳化 物 、氮化物、碳-氮化物及硼化物作为烧结助剂。5. 一种表面经涂覆之氮化矽烧结体之工具,系由含有 氮化 矽及包含至少一种选自MgO、Y2O3.AI2O3.ZrO2.AIN, CaO、CeO及SiO2成份之烧结助剂所形成,且至少作为 工具 操作之部分系经常压烧结,此氮化矽烧结体中,作 为工具 操作部位处之至少一部分经绕结的表面上自由成 长之至少 -Sio3N4或'-SIALON系经除去;该表面系涂覆以厚 度至少为0.1 m和不超过10 m之至少一种成分为选自 Ti 之碳化物、氮化物、碳-氮化物或氮碳酸盐之单层 或复合 层和/或是厚度至少为 0.4 m和不超过10 m之A12O3层,在表面上自由成长之 -Si3N4或'-SIALON系利用喷气、桶滚或超音波振动 处 理来去除,且该氮化矽烧结体包括1-20重量%至少一 种 选自MgO、Y2O3.AI2O3.ZrO2.AIN,CaO、CeO2及SiO2之 成份作为烧结助剂。6.如申请专利范围第5项之表 面经涂覆之氮化矽烧结体之 工具,其中该表面经涂覆之氮化矽烧结体具有不超 过3 m 之10点平均表面粗糙度Rz。7.如申请专利范围第5项 之表面经涂覆之氮化矽烧结体之 工具,其中该氮化矽烧结体系含有1-30wt%之至少一 种 选自Ti之碳化物、氮化物、碳-氮化物及硼化物之 成份。8.如申请专利范围第5项之表面经涂覆之氮 化矽烧结体之 工具,其中最外层表面系涂覆以具有厚度至少0.1 m 及不 超过5 m之氮化钛层。9.如申请专利范围第5项之表 面经涂覆之氮化矽烧结体之 工具,其中最内之涂覆层为厚度至少0.1 m及不超过1 .0 |
