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发明名称 JUNCTION METHOD OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号 JPH04340215(A) 申请公布日期 1992.11.26
申请号 JP19910021409 申请日期 1991.01.23
申请人 SUMITOMO METAL MINING CO LTD 发明人 OKABAYASHI OSAMU
分类号 H01L21/02;H01L27/12 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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