| 摘要 |
열화가 적은 회로를 가지는 반도체 장치를 제공한다. 제 1 트랜지스터, 제 2 트랜지스터, 제 1 스위치, 제 2 스위치 및 제 3 스위치를 가지고, 상기 제 1 트랜지스터의 제 1 단자는 제 1 배선과 접속되고, 제 2 단자는 제 2 배선과 접속되고, 상기 제 2 트랜지스터의 게이트 및 제 1 단자는 상기 제 1 배선과 접속되고, 제 2 단자는 상기 제 1 트랜지스터의 게이트와 접속되고, 상기 제 1 스위치는 상기 제 2 배선과 제 3 배선의 사이에 접속되고, 상기 제 2 스위치는 상기 제 2 배선과 상기 제 3 배선의 사이에 접속되고, 상기 제 3 스위치는 제 1 트랜지스터의 게이트와 제 3 배선의 사이에 접속되는 반도체 장치가 개시된다. |
