具低备用电流之中级直流电压产生器

摘要

一提供低备用电流之中级直流电压产生器。本创作系一以互补式金氧半(CMOS)为基础，并能产生一参考电压位准之积体电路。本创作完成此项工作，同时亦减低功率损耗，使其能应用于手提电脑或其它由电池操作之装置。本创作以通道长度大于第一级之通道长度之电晶体，取代知技艺之第二级电晶体。此举增加第二级电晶体之开启电压。此外，第二级电晶体通道宽度小于第一级电晶体之通道宽度，更增加开启电压。以此方式，第二级电晶体系关闭的，因而降低开关电流以及第二级之驱动电晶体供应之备用电流，并提供中级位准之电压参考。本创作之结构亦以提供第一级与第二级电晶体间之临界电压差之足够之容许度以于电路操作时维持其常开，而降低由第二级电晶体所吸引之电流。

主权项

1﹒一种供产生低备用电流之直流电压产生器电路 , 包括:一第一互补式金氧半电晶体级包括一与第二 传导型之第二电晶体串联接 之第一传导型之第一电晶体:一与上述第二电晶体 连接之第二偏压装置一连接 至上述第一互补式金氧半电晶体级之第二互补式 金氧半电晶体级包括一上述第 一传导型之第一电晶体组,所述之第一电晶能组之 各电晶体系并联连接,上述 第一电晶体组则与上述第二传导型之第二电晶能 组串联,所述之第二电晶体组 之各电晶体为并联连接。 2﹒根据申请专利范围第2项电路,其中所述之第一 传导型为N型。 3﹒根据申请专利范围第2项之电路,其中上述第二 互补式金氧半电晶体级中 之上述第一电晶体组之电晶体中之通道长度系较 上述第一电晶体之通道长 度为长。 4﹒根据申请专利范围第3项之电路,其中上述第二 互补式金氧半电晶体中之 上述第一电晶体组中之通道宽度系较上述第一电 晶体之通道宽度为窄。 5﹒根据申请专利范围第4项之电路,其中上述第一 电晶体组之临界电压系高 于上述第一电晶体之临界电压。 6﹒根据申请专利范围第5项之电路,上述电路之正 常操作要求上述第一及第 二互补式金氧半电晶体级之两输出电压实实在在 地相同,且要求上述第一 及第二电晶体组为关闭。图示简单说明 图1为—图示习知技艺直流电压产生器 之电路图。 图2为本创作之较佳实施例之电路图。 图3显示—金氧半电晶体之临界电压及 其通道长度之关系。 图4显示—金氧半电晶体与电晶体宽度 间之关系。 图5显示—习知肢棼直流电压产生器之 N2及P2之开败状况。 图6显示本创作之第二对N型金氧半与 P型金氧半电晶体之开敌状况。